DDC144TU-7 Альтернативные части: UMX1NTN

DDC144TU-7Diodes Incorporated

В наличии: 6000

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
8.011415 ₽
7.97 ₽
500
5.890742 ₽
2,945.33 ₽
1000
4.908929 ₽
4,908.93 ₽
2000
4.503668 ₽
9,007.28 ₽
5000
4.209011 ₽
21,045.05 ₽
10000
3.915330 ₽
39,153.30 ₽
15000
3.786566 ₽
56,798.49 ₽
50000
3.723338 ₽
186,166.90 ₽

Цена за единицу: 8.011415 ₽

Итоговая цена: 7.97 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDDC144TU-7	иUMX1NTN
Производитель:	Diodes Incorporated	ROHM Semiconductor
Описание:	Bipolar Transistors - Pre-Biased PREBIASED TRANSISTOR SOT-363 NPN 200MW	TRANS 2NPN 50V 0.15A 6UMT
Срок поставки от производителя	19 Weeks	13 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Количество контактов	6	6
Вес	6.010099mg	-
Диэлектрический пробой напряжение	50V	50V
Количество элементов	2	2
Минимальная частота работы в герцах	150	120
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2007	2003
Код JESD-609	e3	e2
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	6	6
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	Tin/Copper (Sn/Cu)
Максимальная рабочая температура	150°C	-
Минимальная температура работы	-55°C	-
Дополнительная Характеристика	BUILT IN BIAS RESISTOR	-
Код ТН ВЭД	8541.21.00.75	8541.21.00.75
Ток постоянного напряжения - номинальный	50V	50V
Максимальная потеря мощности	200mW	150mW
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260
Моментальный ток	100mA	150mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	10
Основной номер части	DDC144	*MX1
Число контактов	6	6
Направленность	NPN	NPN
Конфигурация элемента	Dual	Dual
Применение транзистора	SWITCHING	AMPLIFIER
Тип транзистора	2 NPN - Pre-Biased (Dual)	2 NPN (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	50V	50V
Максимальный ток сбора	50mA	150mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	150 @ 25mA 5V	120 @ 1mA 6V
Ток - отсечка коллектора (макс)	850nA	100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	300mV @ 5mA, 50mA	400mV @ 5mA, 50mA
Частота перехода	250MHz	180MHz
Максимальное напряжение разрушения	50V	50V
Частота - Переход	250MHz	-
База (R1)	47k Ω	-
Прямоходящий ток коллектора	50mA	150mA
Высота	1mm	900μm
Длина	2.2mm	2mm
Ширина	1.35mm	1.25mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Материал элемента транзистора	-	SILICON
Рабочая температура	-	150°C TJ
Тип	-	General Purpose
Распад мощности	-	150mW
Продуктивность полосы частот	-	180MHz
Максимальная частота	-	100MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	-	60V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	-	7V
Максимальное напряжение на выходе	-	0.4 V

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
UMX3NTR	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	TRANS 2NPN 50V 0.15A 6UMT	Для сравнения
UMX1NTN	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	TRANS 2NPN 50V 0.15A 6UMT	Для сравнения
UMX2NTR	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	TRANS 2NPN 50V 0.15A 6UMT	Для сравнения
RN1971TE85LF	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V	Для сравнения