DCX123JU-7-F Альтернативные части: DDC143TU-7-F ,DDC123JU-7-F

DCX123JU-7-FDiodes Incorporated

В наличии: 16141

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
4.028297 ₽
3.98 ₽
10
3.800275 ₽
38.05 ₽
100
3.585165 ₽
358.52 ₽
500
3.382239 ₽
1,691.07 ₽
1000
3.190783 ₽
3,190.80 ₽

Цена за единицу: 4.028297 ₽

Итоговая цена: 3.98 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDCX123JU-7-F	иDDC143TU-7-F	иDDC123JU-7-F
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	DCX123JU Series NPN/PNP 50 V 100 A Dual Transistor Surface Mount - SOT-363-6	TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363	TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
Срок поставки от производителя	19 Weeks	19 Weeks	15 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Количество контактов	6	6	6
Вес	6.010099mg	6.010099mg	6.010099mg
Диэлектрический пробой напряжение	50V	50V	50V
Количество элементов	2	2	2
Минимальная частота работы в герцах	100	100	100
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2007	2007	2013
Код JESD-609	e3	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	6	6	6
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	-	Matte Tin (Sn)
Максимальная рабочая температура	150°C	150°C	150°C
Минимальная температура работы	-55°C	-55°C	-55°C
Ток постоянного напряжения - номинальный	50V	50V	50V
Максимальная потеря мощности	200mW	200mW	200mW
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260	260
Моментальный ток	100mA	100mA	100mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40	40
Основной номер части	DCX123	DDC143	DDC123
Число контактов	6	6	6
Максимальный выходной ток	100mA	-	-
Входной напряжение питания	50V	-	-
Направленность	NPN, PNP	NPN, PNP	NPN, PNP
Каналов количество	2	-	-
Конфигурация элемента	Dual	Dual	Dual
Тип транзистора	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)	2 NPN - Pre-Biased (Dual)	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	50V	50V	50V
Максимальный ток сбора	100mA	100mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	80 @ 10mA 5V	100 @ 1mA 5V	80 @ 10mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	500nA	-	500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	300mV @ 250μA, 5mA	300mV @ 250μA, 2.5mA	300mV @ 250μA, 5mA
Частота перехода	250MHz	250MHz	250MHz
Максимальное напряжение разрушения	50V	50V	50V
Частота - Переход	250MHz	250MHz	250MHz
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5V	5V	5V
База (R1)	2.2k Ω	4.7k Ω	2.2k Ω
Прямоходящий ток коллектора	100mA	100mA	100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)	47k Ω	-	47k Ω
Высота	1mm	1mm	1mm
Длина	2.2mm	2.2mm	2.2mm
Ширина	1.35mm	1.35mm	1.35mm
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Покрытие контактов	-	Tin	-
Дополнительная Характеристика	-	BUILT IN BIAS RESISTOR	-
Код ТН ВЭД	-	8541.21.00.75	8541.21.00.75

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DDC114YU-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363	Для сравнения
UMB10NTN	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6	Для сравнения
DDC143TU-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363	Для сравнения
DDC123JU-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363	Для сравнения