DCX123JU-7-F Альтернативные части: DDC114YU-7-F

DCX123JU-7-FDiodes Incorporated

  • DCX123JU-7-FDiodes Incorporated
  • DDC114YU-7-FDiodes Incorporated

В наличии: 16141

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    4.028297 ₽

    3.98 ₽

  • 10

    3.800275 ₽

    38.05 ₽

  • 100

    3.585165 ₽

    358.52 ₽

  • 500

    3.382239 ₽

    1,691.07 ₽

  • 1000

    3.190783 ₽

    3,190.80 ₽

Цена за единицу: 4.028297 ₽

Итоговая цена: 3.98 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
DCX123JU Series NPN/PNP 50 V 100 A Dual Transistor Surface Mount - SOT-363-6
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
Срок поставки от производителя
19 Weeks
19 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Количество контактов
6
6
Вес
6.010099mg
6.010099mg
Диэлектрический пробой напряжение
50V
50V
Количество элементов
2
2
Минимальная частота работы в герцах
100
100
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2007
2013
Код JESD-609
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
6
6
Код ECCN
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Matte Tin (Sn)
Matte Tin (Sn)
Максимальная рабочая температура
150°C
150°C
Минимальная температура работы
-55°C
-55°C
Ток постоянного напряжения - номинальный
50V
50V
Максимальная потеря мощности
200mW
200mW
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
Моментальный ток
100mA
100mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
40
Основной номер части
DCX123
DDC114
Число контактов
6
6
Максимальный выходной ток
100mA
100mA
Входной напряжение питания
50V
50V
Направленность
NPN, PNP
NPN, PNP
Каналов количество
2
-
Конфигурация элемента
Dual
Dual
Тип транзистора
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
50V
50V
Максимальный ток сбора
100mA
100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
80 @ 10mA 5V
68 @ 10mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
500nA
500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
300mV @ 250μA, 5mA
300mV @ 250μA, 5mA
Частота перехода
250MHz
250MHz
Максимальное напряжение разрушения
50V
50V
Частота - Переход
250MHz
250MHz
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
5V
База (R1)
2.2k Ω
10k Ω
Прямоходящий ток коллектора
100mA
100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)
47k Ω
47k Ω
Высота
1mm
1mm
Длина
2.2mm
2.2mm
Ширина
1.35mm
1.35mm
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Дополнительная Характеристика
-
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
Код ТН ВЭД
-
8541.21.00.75