Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DCX114YH-7 Альтернативные части: DDC114YH-7 ,RN4902FE,LF(CT
DCX114YH-7Diodes Incorporated
В наличии: 2950
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
8.481538 ₽
8.52 ₽
500
6.236429 ₽
3,118.27 ₽
1000
5.197060 ₽
5,197.12 ₽
2000
4.767898 ₽
9,535.85 ₽
5000
4.455975 ₽
22,279.95 ₽
10000
4.145110 ₽
41,451.10 ₽
15000
4.008777 ₽
60,131.59 ₽
50000
3.941813 ₽
197,090.66 ₽
Цена за единицу: 8.481538 ₽
Итоговая цена: 8.52 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 | TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563 | Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor |
Срок поставки от производителя | 19 Weeks | 19 Weeks | 12 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SOT-563, SOT-666 | SOT-563, SOT-666 | SOT-563, SOT-666 |
Количество контактов | 6 | 6 | - |
Вес | 3.005049mg | 3.005049mg | 3.005049mg |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V | 50V |
Количество элементов | 2 | 2 | - |
Минимальная частота работы в герцах | 68 | 68 | 50 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) |
Опубликовано | 2007 | 2007 | 2014 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | - |
Безоловая кодировка | yes | yes | - |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 6 | 6 | - |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | - |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | - |
Максимальная рабочая температура | 150°C | 150°C | - |
Минимальная температура работы | -55°C | -55°C | - |
Дополнительная Характеристика | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 4.7 | BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 4.7 | - |
Максимальная потеря мощности | 150mW | 150mW | 100mW |
Форма вывода | FLAT | FLAT | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 | - |
Код соответствия REACH | not_compliant | - | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 40 | - |
Основной номер части | DCX114 | DDC114 | - |
Число контактов | 6 | 6 | - |
Квалификационный Статус | Not Qualified | - | - |
Направленность | NPN, PNP | NPN | NPN, PNP |
Каналов количество | 2 | - | 2 |
Конфигурация элемента | Dual | Dual | - |
Тип транзистора | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 300mV | 300mV | 300mV |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 68 @ 10mA 5V | 68 @ 10mA 5V | 50 @ 10mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 500nA | 500nA | 500nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 300mV @ 250μA, 5mA | 300mV @ 250μA, 5mA | 300mV @ 250μA, 5mA |
Частота перехода | 250MHz | 250MHz | - |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | - | 50V |
Частота - Переход | 250MHz | 250MHz | 250MHz 200MHz |
База (R1) | 10k Ω | 10k Ω | 10kOhms |
Прямоходящий ток коллектора | 100mA | 100mA | 100mA |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | 47k Ω | 47k Ω | 10kOhms |
Высота | 600μm | 600μm | - |
Длина | 1.6mm | 1.6mm | - |
Ширина | 1.2mm | 1.2mm | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant |
Код ТН ВЭД | - | 8541.21.00.75 | - |
Максимальный выходной ток | - | 70mA | - |
Входной напряжение питания | - | 50V | - |
Корпусировка на излучение | - | No | - |
Без свинца | - | Lead Free | - |
Поставщик упаковки устройства | - | - | ES6 |
Максимальный коллекторный ток (Ic) | - | - | 100mA |
Мощность - Макс | - | - | 100mW |
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.) | - | - | 50V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - | - | 10V |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DCX144EH-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | SOT-563, SOT-666 | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R | Для сравнения |
| DDC114YH-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | SOT-563, SOT-666 | TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563 | Для сравнения |
 | RN4902FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | SOT-563, SOT-666 | Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor | Для сравнения |
| DDC144EH-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | SOT-563, SOT-666 | Bipolar Transistors - Pre-Biased 150MW 47K | Для сравнения |