DCX114YH-7 Альтернативные части: DCX144EH-7

DCX114YH-7Diodes Incorporated

  • DCX114YH-7Diodes Incorporated
  • DCX144EH-7Diodes Incorporated

В наличии: 2950

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    8.481538 ₽

    8.52 ₽

  • 500

    6.236429 ₽

    3,118.27 ₽

  • 1000

    5.197060 ₽

    5,197.12 ₽

  • 2000

    4.767898 ₽

    9,535.85 ₽

  • 5000

    4.455975 ₽

    22,279.95 ₽

  • 10000

    4.145110 ₽

    41,451.10 ₽

  • 15000

    4.008777 ₽

    60,131.59 ₽

  • 50000

    3.941813 ₽

    197,090.66 ₽

Цена за единицу: 8.481538 ₽

Итоговая цена: 8.52 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
Срок поставки от производителя
19 Weeks
19 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SOT-563, SOT-666
SOT-563, SOT-666
Количество контактов
6
6
Вес
3.005049mg
3.005049mg
Диэлектрический пробой напряжение
50V
50V
Количество элементов
2
2
Минимальная частота работы в герцах
68
68
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2007
2007
Код JESD-609
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
6
6
Код ECCN
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Matte Tin (Sn)
Matte Tin (Sn)
Максимальная рабочая температура
150°C
150°C
Минимальная температура работы
-55°C
-55°C
Дополнительная Характеристика
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 4.7
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 1
Максимальная потеря мощности
150mW
150mW
Форма вывода
FLAT
FLAT
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
Код соответствия REACH
not_compliant
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
40
Основной номер части
DCX114
DCX144
Число контактов
6
6
Квалификационный Статус
Not Qualified
-
Направленность
NPN, PNP
NPN, PNP
Каналов количество
2
2
Конфигурация элемента
Dual
Dual
Тип транзистора
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
300mV
300mV
Максимальный ток сбора
100mA
100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
68 @ 10mA 5V
68 @ 5mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
500nA
500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
300mV @ 250μA, 5mA
300mV @ 500μA, 10mA
Частота перехода
250MHz
250MHz
Максимальное напряжение разрушения
50V
50V
Частота - Переход
250MHz
250MHz
База (R1)
10k Ω
47k Ω
Прямоходящий ток коллектора
100mA
100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)
47k Ω
47k Ω
Высота
600μm
600μm
Длина
1.6mm
1.6mm
Ширина
1.2mm
1.2mm
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Корпусировка на излучение
-
No