CPH6003A-TL-EON Semiconductor
В наличии: 857
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
50.850879 ₽
50.82 ₽
10
47.972527 ₽
479.67 ₽
100
45.257088 ₽
4,525.69 ₽
500
42.695357 ₽
21,347.66 ₽
1000
40.278695 ₽
40,278.71 ₽
Цена за единицу: 50.850879 ₽
Итоговая цена: 50.82 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | ON Semi CPH6003A-TL-E NPN RF Bipolar Transistor; 0.15 A; 12 V; 6-Pin CPH | Bipolar Transistors - BJT NPN Multi-Chip Trans General Purpose | Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 6-Pin SuperSOT T/R |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) | ACTIVE (Last Updated: 5 days ago) | ACTIVE (Last Updated: 5 days ago) |
Срок поставки от производителя | 15 Weeks | 4 Weeks | 5 Weeks |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Поверхностный монтаж | YES | - | - |
Количество контактов | 6 | 6 | 6 |
Диэлектрический пробой напряжение | 12V | 80V | 40V |
Количество элементов | 1 | 2 | 2 |
Минимальная частота работы в герцах | 100 | 100 | 100 |
Рабочая температура | 150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2013 | - | 2013 |
Код JESD-609 | e6 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Tin/Bismuth (Sn/Bi) | - | Tin (Sn) |
Максимальная потеря мощности | 800mW | 700mW | 700mW |
Частота | 7MHz | 100MHz | 200MHz |
Число контактов | 6 | - | - |
Конфигурация элемента | Single | Dual | Dual |
Распад мощности | 800mW | 700mW | 700mW |
Продуктивность полосы частот | 7 GHz | 100MHz | 200MHz |
Полярность/Тип канала | NPN | - | - |
Тип транзистора | NPN | 2 NPN (Dual) | NPN, PNP |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 12V | 80V | 40V |
Максимальный ток сбора | 150mA | 500mA | 200mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 100 @ 50mA 5V | 100 @ 100mA 1V | 100 @ 10mA 1V |
Увеличение | 9dB | - | - |
Максимальное напряжение разрушения | 12V | 80V | 40V |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 20V | 80V | 40V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 2V | 4V | 5V |
Шумовая фигура (дБ тип @ ф) | 1.8dB @ 1GHz | - | - |
Высота | 900μm | - | 1mm |
Длина | 2.9mm | - | 3mm |
Ширина | 1.6mm | - | 1.7mm |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Покрытие контактов | - | Tin | - |
Монтаж | - | Surface Mount | Surface Mount |
Вес | - | 36mg | 36mg |
Материал элемента транзистора | - | SILICON | SILICON |
Количество выводов | - | 6 | 6 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | 80V | - |
Форма вывода | - | GULL WING | GULL WING |
Моментальный ток | - | 500mA | 200mA |
Основной номер части | - | FMBA06 | FMB3946 |
Направленность | - | NPN | NPN, PNP |
Применение транзистора | - | AMPLIFIER | SWITCHING |
Ток - отсечка коллектора (макс) | - | 100nA | 50nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | - | 250mV @ 10mA, 100mA | 250mV @ 1mA, 10mA |
Частота перехода | - | 100MHz | 200MHz |
Корпусировка на излучение | - | No | No |
Время выключения максимальное (toff) | - | - | 190ns |
Время включения максимальный (тон) | - | - | 38ns |
REACH SVHC | - | - | No SVHC |