CPH6003A-TL-E Альтернативные части: FMBA06 ,FMB3946

CPH6003A-TL-EON Semiconductor

  • CPH6003A-TL-EON Semiconductor
  • FMBA06ON Semiconductor
  • FMB3946ON Semiconductor

В наличии: 857

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    50.850879 ₽

    50.82 ₽

  • 10

    47.972527 ₽

    479.67 ₽

  • 100

    45.257088 ₽

    4,525.69 ₽

  • 500

    42.695357 ₽

    21,347.66 ₽

  • 1000

    40.278695 ₽

    40,278.71 ₽

Цена за единицу: 50.850879 ₽

Итоговая цена: 50.82 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
ON Semi CPH6003A-TL-E NPN RF Bipolar Transistor; 0.15 A; 12 V; 6-Pin CPH
Bipolar Transistors - BJT NPN Multi-Chip Trans General Purpose
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 6-Pin SuperSOT T/R
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
Срок поставки от производителя
15 Weeks
4 Weeks
5 Weeks
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Поверхностный монтаж
YES
-
-
Количество контактов
6
6
6
Диэлектрический пробой напряжение
12V
80V
40V
Количество элементов
1
2
2
Минимальная частота работы в герцах
100
100
100
Рабочая температура
150°C TJ
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2013
-
2013
Код JESD-609
e6
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
yes
Состояние изделия
Active
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Tin/Bismuth (Sn/Bi)
-
Tin (Sn)
Максимальная потеря мощности
800mW
700mW
700mW
Частота
7MHz
100MHz
200MHz
Число контактов
6
-
-
Конфигурация элемента
Single
Dual
Dual
Распад мощности
800mW
700mW
700mW
Продуктивность полосы частот
7 GHz
100MHz
200MHz
Полярность/Тип канала
NPN
-
-
Тип транзистора
NPN
2 NPN (Dual)
NPN, PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
12V
80V
40V
Максимальный ток сбора
150mA
500mA
200mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
100 @ 50mA 5V
100 @ 100mA 1V
100 @ 10mA 1V
Увеличение
9dB
-
-
Максимальное напряжение разрушения
12V
80V
40V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
20V
80V
40V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
2V
4V
5V
Шумовая фигура (дБ тип @ ф)
1.8dB @ 1GHz
-
-
Высота
900μm
-
1mm
Длина
2.9mm
-
3mm
Ширина
1.6mm
-
1.7mm
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Покрытие контактов
-
Tin
-
Монтаж
-
Surface Mount
Surface Mount
Вес
-
36mg
36mg
Материал элемента транзистора
-
SILICON
SILICON
Количество выводов
-
6
6
Ток постоянного напряжения - номинальный
-
80V
-
Форма вывода
-
GULL WING
GULL WING
Моментальный ток
-
500mA
200mA
Основной номер части
-
FMBA06
FMB3946
Направленность
-
NPN
NPN, PNP
Применение транзистора
-
AMPLIFIER
SWITCHING
Ток - отсечка коллектора (макс)
-
100nA
50nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
-
250mV @ 10mA, 100mA
250mV @ 1mA, 10mA
Частота перехода
-
100MHz
200MHz
Корпусировка на излучение
-
No
No
Время выключения максимальное (toff)
-
-
190ns
Время включения максимальный (тон)
-
-
38ns
REACH SVHC
-
-
No SVHC