Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
CPH6003A-TL-E Альтернативные части: FMB2222A
CPH6003A-TL-EON Semiconductor
В наличии: 857
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
50.850879 ₽
50.82 ₽
10
47.972527 ₽
479.67 ₽
100
45.257088 ₽
4,525.69 ₽
500
42.695357 ₽
21,347.66 ₽
1000
40.278695 ₽
40,278.71 ₽
Цена за единицу: 50.850879 ₽
Итоговая цена: 50.82 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | ON Semi CPH6003A-TL-E NPN RF Bipolar Transistor; 0.15 A; 12 V; 6-Pin CPH | FMB2222A...- |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) | ACTIVE (Last Updated: 5 days ago) |
Срок поставки от производителя | 15 Weeks | 6 Weeks |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Поверхностный монтаж | YES | - |
Количество контактов | 6 | 6 |
Диэлектрический пробой напряжение | 12V | 40V |
Количество элементов | 1 | 2 |
Минимальная частота работы в герцах | 100 | 100 |
Рабочая температура | 150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2013 | 2000 |
Код JESD-609 | e6 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Tin/Bismuth (Sn/Bi) | Tin (Sn) |
Максимальная потеря мощности | 800mW | 700mW |
Частота | 7MHz | 300MHz |
Число контактов | 6 | - |
Конфигурация элемента | Single | Dual |
Распад мощности | 800mW | 700mW |
Продуктивность полосы частот | 7 GHz | 300MHz |
Полярность/Тип канала | NPN | - |
Тип транзистора | NPN | 2 NPN (Dual) |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 12V | 40V |
Максимальный ток сбора | 150mA | 500mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 100 @ 50mA 5V | 100 @ 150mA 10V |
Увеличение | 9dB | - |
Максимальное напряжение разрушения | 12V | 40V |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 20V | 75V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 2V | 5V |
Шумовая фигура (дБ тип @ ф) | 1.8dB @ 1GHz | - |
Высота | 900μm | 1mm |
Длина | 2.9mm | 3mm |
Ширина | 1.6mm | 1.7mm |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Монтаж | - | Surface Mount |
Вес | - | 36mg |
Материал элемента транзистора | - | SILICON |
Количество выводов | - | 6 |
Завершение | - | SMD/SMT |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | 40V |
Форма вывода | - | GULL WING |
Моментальный ток | - | 500mA |
Основной номер части | - | FMB2222 |
Направленность | - | NPN |
Применение транзистора | - | SWITCHING |
Ток - отсечка коллектора (макс) | - | 10nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | - | 1V @ 50mA, 500mA |
Частота перехода | - | 300MHz |
REACH SVHC | - | No SVHC |
Корпусировка на излучение | - | No |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | QSX5TR | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | TRANS NPN 12V 2A TSMT6 | Для сравнения |
 | FMBA06 | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Bipolar Transistors - BJT NPN Multi-Chip Trans General Purpose | Для сравнения |
| FMB3946 | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 6-Pin SuperSOT T/R | Для сравнения |
| FMB2222A | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | FMB2222A...- | Для сравнения |