Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
CPH5506-TL-E Альтернативные части: QSZ2TR
CPH5506-TL-EON Semiconductor
В наличии: 382
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
59.485934 ₽
59.48 ₽
10
56.118832 ₽
561.13 ₽
100
52.942294 ₽
5,294.23 ₽
500
49.945536 ₽
24,972.80 ₽
1000
47.118420 ₽
47,118.41 ₽
Цена за единицу: 59.485934 ₽
Итоговая цена: 59.48 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | TRANS NPN/PNP 30V 1.5A 5CPH | TRANS NPN/PNP 30V 1.5A 5TSMT |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) | - |
Срок поставки от производителя | 7 Weeks | 20 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | - |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 |
Поверхностный монтаж | YES | - |
Количество контактов | 5 | 5 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 30V | 30V |
Количество элементов | 2 | 2 |
Минимальная частота работы в герцах | 200 | - |
Рабочая температура | 150°C TJ | 150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2012 | 2015 |
Код JESD-609 | e6 | e1 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 5 | 5 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Максимальная потеря мощности | 1.2W | 1.25W |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Число контактов | 5 | 5 |
Направленность | NPN, PNP | NPN, PNP |
Конфигурация элемента | Dual | Dual |
Распад мощности | 1.2W | - |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Продуктивность полосы частот | 500MHz | 280MHz |
Тип транзистора | NPN, PNP (Emitter Coupled) | NPN, PNP (Emitter Coupled) |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 30V | 30V |
Максимальный ток сбора | 1.5A | 1.5A |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 200 @ 100mA 2V | 270 @ 100mA 2V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 100nA ICBO | 100nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 225mV @ 15mA, 750mA / 375mV @ 15mA, 750mA | 350mV @ 50mA, 1A / 370mV @ 50mA, 1A |
Частота перехода | 500MHz | 300MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 30V | 30V |
Частота - Переход | 500MHz 450MHz | 300MHz 280MHz |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 40V | 30V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5V | 6V |
Высота | 900μm | - |
Длина | 2.9mm | - |
Ширина | 1.6mm | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Монтаж | - | Surface Mount |
Конечная обработка контакта | - | TIN SILVER COPPER |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | 10 |
Основной номер части | - | QSZ |
Мощность - Макс | - | 1.25W |
Корпусировка на излучение | - | No |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | QSL12TR | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 | TRANS NPN 30V 1A TSMT5 | Для сравнения |
 | CPH5524-TL-E | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 | ON Semi CPH5524-TL-E Dual NPN+PNP Bipolar Transistor; 3 A; 50 V; 5-Pin CPH | Для сравнения |
| QSZ2TR | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 | TRANS NPN/PNP 30V 1.5A 5TSMT | Для сравнения |
| CPH5517-TL-E | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 | TRANS NPN/PNP 50V 1A 5CPH | Для сравнения |