CPH5506-TL-E Альтернативные части: CPH5524-TL-E

CPH5506-TL-EON Semiconductor

В наличии: 382

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
59.485934 ₽
59.48 ₽
10
56.118832 ₽
561.13 ₽
100
52.942294 ₽
5,294.23 ₽
500
49.945536 ₽
24,972.80 ₽
1000
47.118420 ₽
47,118.41 ₽

Цена за единицу: 59.485934 ₽

Итоговая цена: 59.48 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иCPH5506-TL-E	иCPH5524-TL-E
Производитель:	ON Semiconductor	ON Semiconductor
Описание:	TRANS NPN/PNP 30V 1.5A 5CPH	ON Semi CPH5524-TL-E Dual NPN+PNP Bipolar Transistor; 3 A; 50 V; 5-Pin CPH
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)	ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Срок поставки от производителя	7 Weeks	13 Weeks
Покрытие контактов	Tin	-
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5	SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Поверхностный монтаж	YES	YES
Количество контактов	5	5
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	30V	50V
Количество элементов	2	2
Минимальная частота работы в герцах	200	200
Рабочая температура	150°C TJ	150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2012	2012
Код JESD-609	e6	e6
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	5	5
Код ECCN	EAR99	EAR99
Максимальная потеря мощности	1.2W	1.2W
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Число контактов	5	5
Направленность	NPN, PNP	NPN, PNP
Конфигурация элемента	Dual	Dual
Распад мощности	1.2W	1.2W
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Продуктивность полосы частот	500MHz	380MHz
Тип транзистора	NPN, PNP (Emitter Coupled)	NPN, PNP (Emitter Coupled)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	30V	50V
Максимальный ток сбора	1.5A	3A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	200 @ 100mA 2V	200 @ 100mA 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)	100nA ICBO	1μA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	225mV @ 15mA, 750mA / 375mV @ 15mA, 750mA	240mV @ 100mA, 2A
Частота перехода	500MHz	380MHz
Максимальное напряжение разрушения	30V	50V
Частота - Переход	500MHz 450MHz	-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	40V	100V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5V	6V
Высота	900μm	900μm
Длина	2.9mm	2.9mm
Ширина	1.6mm	1.6mm
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Конечная обработка контакта	-	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Код соответствия REACH	-	not_compliant
Максимальная частота	-	390MHz

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
QSL12TR	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5	TRANS NPN 30V 1A TSMT5	Для сравнения
CPH5524-TL-E	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5	ON Semi CPH5524-TL-E Dual NPN+PNP Bipolar Transistor; 3 A; 50 V; 5-Pin CPH	Для сравнения
QSZ2TR	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5	TRANS NPN/PNP 30V 1.5A 5TSMT	Для сравнения
CPH5517-TL-E	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5	TRANS NPN/PNP 50V 1A 5CPH	Для сравнения