CPH5504-TL-E Альтернативные части: QSZ2TR ,QS5W1TR

CPH5504-TL-EON Semiconductor

  • CPH5504-TL-EON Semiconductor
  • QSZ2TRROHM Semiconductor
  • QS5W1TRROHM Semiconductor

В наличии: 1740

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    99.782857 ₽

    99.73 ₽

  • 10

    94.134766 ₽

    941.35 ₽

  • 100

    88.806360 ₽

    8,880.63 ₽

  • 500

    83.779602 ₽

    41,889.84 ₽

  • 1000

    79.037335 ₽

    79,037.36 ₽

Цена за единицу: 99.782857 ₽

Итоговая цена: 99.73 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Trans GP BJT NPN 50V 3A 5-Pin CPH T/R
TRANS NPN/PNP 30V 1.5A 5TSMT
TRANS 2NPN 30V 3A TSMT5
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
-
-
Срок поставки от производителя
2 Weeks
20 Weeks
20 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Количество контактов
5
5
-
Диэлектрический пробой напряжение
50V
30V
30V
Максимальный коллекторный ток (Ic)
3A
-
-
Рабочая температура
150°C TJ
150°C TJ
150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Опубликовано
2013
2015
2011
Код JESD-609
e6
e1
-
Безоловая кодировка
yes
yes
yes
Состояние изделия
Active
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Tin/Bismuth (Sn/Bi)
TIN SILVER COPPER
-
Максимальная потеря мощности
900mW
1.25W
1.25W
Код соответствия REACH
not_compliant
-
-
Число контактов
5
5
5
Направленность
NPN
NPN, PNP
-
Конфигурация элемента
Dual
Dual
-
Мощность - Макс
1.2W
1.25W
1.25W
Продуктивность полосы частот
380MHz
280MHz
-
Тип транзистора
2 NPN (Dual)
NPN, PNP (Emitter Coupled)
2 NPN (Dual) Common Emitter
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
50V
30V
400mV
Максимальный ток сбора
3A
1.5A
3A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
200 @ 100mA 2V
270 @ 100mA 2V
200 @ 500mA 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)
1μA ICBO
100nA ICBO
1μA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
210mV @ 100mA, 2A
350mV @ 50mA, 1A / 370mV @ 50mA, 1A
400mV @ 50mA, 1A
Максимальная частота
380MHz
-
-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
100V
30V
-
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6V
6V
-
Высота
900μm
-
-
Длина
2.9mm
-
-
Ширина
1.6mm
-
-
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Материал элемента транзистора
-
SILICON
SILICON
Количество элементов
-
2
2
Количество выводов
-
5
5
Форма вывода
-
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
260
NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
10
NOT SPECIFIED
Основной номер части
-
QSZ
-
Применение транзистора
-
SWITCHING
SWITCHING
Частота перехода
-
300MHz
270MHz
Максимальное напряжение разрушения
-
30V
30V
Частота - Переход
-
300MHz 280MHz
270MHz
Корпусировка на излучение
-
No
-
Код JESD-30
-
-
R-PDSO-G5
Квалификационный Статус
-
-
Not Qualified
Конфигурация
-
-
COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS
Полярность/Тип канала
-
-
NPN