CPH5504-TL-EON Semiconductor
В наличии: 1740
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
99.782857 ₽
99.73 ₽
10
94.134766 ₽
941.35 ₽
100
88.806360 ₽
8,880.63 ₽
500
83.779602 ₽
41,889.84 ₽
1000
79.037335 ₽
79,037.36 ₽
Цена за единицу: 99.782857 ₽
Итоговая цена: 99.73 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Trans GP BJT NPN 50V 3A 5-Pin CPH T/R | TRANS NPN/PNP 30V 1.5A 5TSMT | TRANS 2NPN 30V 3A TSMT5 |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) | - | - |
Срок поставки от производителя | 2 Weeks | 20 Weeks | 20 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 |
Количество контактов | 5 | 5 | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 30V | 30V |
Максимальный коллекторный ток (Ic) | 3A | - | - |
Рабочая температура | 150°C TJ | 150°C TJ | 150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) |
Опубликовано | 2013 | 2015 | 2011 |
Код JESD-609 | e6 | e1 | - |
Безоловая кодировка | yes | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Tin/Bismuth (Sn/Bi) | TIN SILVER COPPER | - |
Максимальная потеря мощности | 900mW | 1.25W | 1.25W |
Код соответствия REACH | not_compliant | - | - |
Число контактов | 5 | 5 | 5 |
Направленность | NPN | NPN, PNP | - |
Конфигурация элемента | Dual | Dual | - |
Мощность - Макс | 1.2W | 1.25W | 1.25W |
Продуктивность полосы частот | 380MHz | 280MHz | - |
Тип транзистора | 2 NPN (Dual) | NPN, PNP (Emitter Coupled) | 2 NPN (Dual) Common Emitter |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 50V | 30V | 400mV |
Максимальный ток сбора | 3A | 1.5A | 3A |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 200 @ 100mA 2V | 270 @ 100mA 2V | 200 @ 500mA 2V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 1μA ICBO | 100nA ICBO | 1μA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 210mV @ 100mA, 2A | 350mV @ 50mA, 1A / 370mV @ 50mA, 1A | 400mV @ 50mA, 1A |
Максимальная частота | 380MHz | - | - |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 100V | 30V | - |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6V | 6V | - |
Высота | 900μm | - | - |
Длина | 2.9mm | - | - |
Ширина | 1.6mm | - | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Материал элемента транзистора | - | SILICON | SILICON |
Количество элементов | - | 2 | 2 |
Количество выводов | - | 5 | 5 |
Форма вывода | - | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | 260 | NOT SPECIFIED |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | 10 | NOT SPECIFIED |
Основной номер части | - | QSZ | - |
Применение транзистора | - | SWITCHING | SWITCHING |
Частота перехода | - | 300MHz | 270MHz |
Максимальное напряжение разрушения | - | 30V | 30V |
Частота - Переход | - | 300MHz 280MHz | 270MHz |
Корпусировка на излучение | - | No | - |
Код JESD-30 | - | - | R-PDSO-G5 |
Квалификационный Статус | - | - | Not Qualified |
Конфигурация | - | - | COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS |
Полярность/Тип канала | - | - | NPN |