Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
CPH5504-TL-E Альтернативные части: QS5Y1TR
CPH5504-TL-EON Semiconductor
В наличии: 1740
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
99.782857 ₽
99.73 ₽
10
94.134766 ₽
941.35 ₽
100
88.806360 ₽
8,880.63 ₽
500
83.779602 ₽
41,889.84 ₽
1000
79.037335 ₽
79,037.36 ₽
Цена за единицу: 99.782857 ₽
Итоговая цена: 99.73 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Trans GP BJT NPN 50V 3A 5-Pin CPH T/R | TRANS NPN/PNP 30V 3A TSMT5 |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) | - |
Срок поставки от производителя | 2 Weeks | 20 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 |
Количество контактов | 5 | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 30V |
Максимальный коллекторный ток (Ic) | 3A | - |
Рабочая температура | 150°C TJ | 150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) |
Опубликовано | 2013 | 2011 |
Код JESD-609 | e6 | - |
Безоловая кодировка | yes | - |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Tin/Bismuth (Sn/Bi) | - |
Максимальная потеря мощности | 900mW | 1.25W |
Код соответствия REACH | not_compliant | not_compliant |
Число контактов | 5 | 5 |
Направленность | NPN | - |
Конфигурация элемента | Dual | - |
Мощность - Макс | 1.2W | 1.25W |
Продуктивность полосы частот | 380MHz | - |
Тип транзистора | 2 NPN (Dual) | NPN, PNP (Emitter Coupled) |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 50V | 400mV |
Максимальный ток сбора | 3A | 3A |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 200 @ 100mA 2V | 200 @ 500mA 2V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 1μA ICBO | 1μA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 210mV @ 100mA, 2A | 400mV @ 50mA, 1A |
Максимальная частота | 380MHz | - |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 100V | - |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6V | - |
Высота | 900μm | - |
Длина | 2.9mm | - |
Ширина | 1.6mm | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Материал элемента транзистора | - | SILICON |
Количество элементов | - | 2 |
Количество выводов | - | 5 |
Положение терминала | - | DUAL |
Форма вывода | - | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | NOT SPECIFIED |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | NOT SPECIFIED |
Код JESD-30 | - | R-PDSO-G5 |
Конфигурация | - | COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS |
Применение транзистора | - | SWITCHING |
Полярность/Тип канала | - | NPN AND PNP |
Частота перехода | - | 270MHz |
Максимальное напряжение разрушения | - | 30V |
Частота - Переход | - | 300MHz 270MHz |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | QS5W2TR | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 | TRANS 2NPN 50V 3A TSMT5 | Для сравнения |
| QS5Y1TR | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 | TRANS NPN/PNP 30V 3A TSMT5 | Для сравнения |
| QSZ2TR | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 | TRANS NPN/PNP 30V 1.5A 5TSMT | Для сравнения |
| QS5W1TR | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 | TRANS 2NPN 30V 3A TSMT5 | Для сравнения |