Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
BSS306NH6327XTSA1 Альтернативные части: FDN357N ,FDN360P
BSS306NH6327XTSA1Infineon Technologies
В наличии: 4513
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
8.884615 ₽
8.93 ₽
10
8.381717 ₽
83.79 ₽
100
7.907280 ₽
790.66 ₽
500
7.459698 ₽
3,729.81 ₽
1000
7.037445 ₽
7,037.50 ₽
Цена за единицу: 8.884615 ₽
Итоговая цена: 8.93 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R | MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3 | MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3 |
Срок поставки от производителя | 10 Weeks | 10 Weeks | 10 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | - | Tin |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Количество контактов | 3 | 3 | 3 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Производитель идентификатор упаковки | PG-SOT23 | - | - |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 2.3A Ta | 1.9A Ta | 2A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 4.5V 10V | 4.5V 10V |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 500mW Ta | 500mW Ta | 500mW Ta |
Время отключения | 8.3 ns | 12 ns | 11 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | OptiMOS™ | - | PowerTrench® |
Опубликовано | 2011 | 1998 | 2003 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Дополнительная Характеристика | AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
Положение терминала | DUAL | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Число контактов | 3 | - | - |
Конфигурация | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | - |
Каналов количество | 1 | - | 1 |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 500mW | 500mW | 500mW |
Время задержки включения | 4.4 ns | 5 ns | 6 ns |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 57m Ω @ 2.3A, 10V | 60m Ω @ 2.2A, 10V | 80m Ω @ 2A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2V @ 11μA | 2V @ 250μA | 3V @ 250μA |
Без галогенов | Halogen Free | - | - |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 275pF @ 15V | 235pF @ 10V | 298pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 1.5nC @ 5V | 5.9nC @ 5V | 9nC @ 10V |
Время подъема | 2.3ns | 12ns | 13ns |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V | ±20V |
Непрерывный ток стока (ID) | 2.3A | 1.9A | 2A |
Пороговое напряжение | 1.2V | 1.6V | 20V |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Максимальное напряжение питания с двумя источниками | 30V | - | - |
Сопротивление открытого канала-макс | 0.057Ohm | - | - |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | 30V | -30V |
Максимальная температура перехода (Тj) | 150°C | - | 150°C |
Высота | 1.1mm | 940μm | 1.22mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Состояние жизненного цикла | - | ACTIVE (Last Updated: 6 days ago) | ACTIVE (Last Updated: 6 days ago) |
Вес | - | 30mg | 30mg |
Завершение | - | SMD/SMT | - |
Сопротивление | - | 60MOhm | 80MOhm |
Конечная обработка контакта | - | Tin (Sn) | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | 30V | -30V |
Моментальный ток | - | 1.9A | -2A |
Конфигурация элемента | - | Single | Single |
Применение транзистора | - | SWITCHING | SWITCHING |
Время падения (тип) | - | 12 ns | 6 ns |
Двухпитание напряжения | - | 30V | -30V |
Номинальное Vgs | - | 1.6 V | - |
Минимальная разрушающая напряжение | - | 30V | - |
Длина | - | 2.92mm | 2.92mm |
Ширина | - | 3.05mm | 1.4mm |
Напряжение стока-исток (Vdss) | - | - | 30V |
Максимальный сливовой ток (ID) | - | - | 2A |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDN360P | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3 | Для сравнения |
 | ZXMN3A01FTA | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3 | Для сравнения |
| NDS355AN | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans MOSFET N-CH 30V 1.7A 3-Pin SuperSOT T/R | Для сравнения |
| FDN357N | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3 | Для сравнения |