BSS306NH6327XTSA1 Альтернативные части: ZXMN3A01FTA

BSS306NH6327XTSA1Infineon Technologies

В наличии: 4513

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
8.884615 ₽
8.93 ₽
10
8.381717 ₽
83.79 ₽
100
7.907280 ₽
790.66 ₽
500
7.459698 ₽
3,729.81 ₽
1000
7.037445 ₽
7,037.50 ₽

Цена за единицу: 8.884615 ₽

Итоговая цена: 8.93 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иBSS306NH6327XTSA1	иZXMN3A01FTA
Производитель:	Infineon Technologies	Diodes Incorporated
Описание:	Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R	MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3
Срок поставки от производителя	10 Weeks	17 Weeks
Покрытие контактов	Tin	-
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов	3	3
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Производитель идентификатор упаковки	PG-SOT23	-
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	2.3A Ta	1.8A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	4.5V 10V
Количество элементов	1	1
Максимальная мощность рассеяния	500mW Ta	625mW Ta
Время отключения	8.3 ns	6.6 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	OptiMOS™	-
Опубликовано	2011	2006
Код JESD-609	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99
Дополнительная Характеристика	AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE	-
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Число контактов	3	3
Конфигурация	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	-
Каналов количество	1	1
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	500mW	806mW
Время задержки включения	4.4 ns	1.7 ns
Тип ТРВ	N-Channel	N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	57m Ω @ 2.3A, 10V	120m Ω @ 2.5A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	2V @ 11μA	1V @ 250μA
Без галогенов	Halogen Free	-
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	275pF @ 15V	190pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	1.5nC @ 5V	3.9nC @ 10V
Время подъема	2.3ns	2.3ns
Угол настройки (макс.)	±20V	±20V
Непрерывный ток стока (ID)	2.3A	2A
Пороговое напряжение	1.2V	-
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V
Максимальное напряжение питания с двумя источниками	30V	-
Сопротивление открытого канала-макс	0.057Ohm	-
Напряжение пробоя стока к истоку	30V	30V
Максимальная температура перехода (Тj)	150°C	-
Высота	1.1mm	1.02mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Вес	-	7.994566mg
Завершение	-	SMD/SMT
Сопротивление	-	120mOhm
Конечная обработка контакта	-	Matte Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	30V
Температура пайки (пиковая) (°C)	-	260
Моментальный ток	-	1.8A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	-	40
Конфигурация элемента	-	Single
Применение транзистора	-	SWITCHING
Время падения (тип)	-	2.3 ns
Двухпитание напряжения	-	30V
Номинальное Vgs	-	1 V
Длина	-	3.04mm
Ширина	-	1.4mm

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FDN360P	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3	Для сравнения
ZXMN3A01FTA	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3	Для сравнения
NDS355AN	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Trans MOSFET N-CH 30V 1.7A 3-Pin SuperSOT T/R	Для сравнения
FDN357N	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3	Для сравнения