BSC097N06NSATMA1 Альтернативные части: IPD088N06N3GBTMA1

BSC097N06NSATMA1Infineon Technologies

В наличии: 1984

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
29.615385 ₽
29.67 ₽
10
27.939038 ₽
279.40 ₽
100
26.357582 ₽
2,635.71 ₽
500
24.865646 ₽
12,432.83 ₽
1000
23.458159 ₽
23,458.10 ₽

Цена за единицу: 29.615385 ₽

Итоговая цена: 29.67 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иBSC097N06NSATMA1	иIPD088N06N3GBTMA1
Производитель:	Infineon Technologies	Infineon Technologies
Описание:	MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8	Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
Срок поставки от производителя	26 Weeks	18 Weeks
Покрытие контактов	Tin	-
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-PowerTDFN	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Количество контактов	8	3
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	46A Tc	50A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	6V 10V	10V
Количество элементов	1	1
Максимальная мощность рассеяния	2.5W Ta 36W Tc	71W Tc
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~175°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	OptiMOS™	OptiMOS™
Опубликовано	2005	2008
Код JESD-609	e3	e3
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	5	2
Код ECCN	EAR99	EAR99
Положение терминала	DUAL	SINGLE
Форма вывода	FLAT	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH	not_compliant	not_compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
Код JESD-30	R-PDSO-F5	R-PSSO-G2
Конфигурация	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка	DRAIN	DRAIN
Тип ТРВ	N-Channel	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	9.7m Ω @ 40A, 10V	8.8m Ω @ 50A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	3.3V @ 14μA	4V @ 34μA
Без галогенов	Halogen Free	Not Halogen Free
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	1075pF @ 30V	3900pF @ 30V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	15nC @ 10V	48nC @ 10V
Время подъема	2ns	40ns
Угол настройки (макс.)	±20V	±20V
Непрерывный ток стока (ID)	46A	50A
Пороговое напряжение	2.8V	3V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V
Максимальное напряжение питания с двумя источниками	60V	60V
Максимальный сливовой ток (ID)	12A	-
Сопротивление открытого канала-макс	0.0097Ohm	0.0088Ohm
Рейтинг энергии лавины (Eas)	13 mJ	-
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Contains Lead	Contains Lead
Время отключения	-	20 ns
Безоловая кодировка	-	no
Конечная обработка контакта	-	Tin (Sn)
Число контактов	-	3
Квалификационный Статус	-	Not Qualified
Распад мощности	-	71W
Время задержки включения	-	15 ns
Время падения (тип)	-	5 ns
Код JEDEC-95	-	TO-252AA
Максимальный импульсный ток вывода	-	200A

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
IPD088N06N3GBTMA1	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R	Для сравнения
NTTFS5C673NLTAG	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-PowerWDFN	MOSFET N-CH 60V 13A WDFN8	Для сравнения
FQB50N06LTM	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Trans MOSFET N-CH 60V 52.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R	Для сравнения
AUIRFR3806	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	MOSFET N-CH 60V 43A DPAK	Для сравнения