BSC097N06NSATMA1 Альтернативные части: FQB50N06LTM

BSC097N06NSATMA1Infineon Technologies

В наличии: 1984

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
29.615385 ₽
29.67 ₽
10
27.939038 ₽
279.40 ₽
100
26.357582 ₽
2,635.71 ₽
500
24.865646 ₽
12,432.83 ₽
1000
23.458159 ₽
23,458.10 ₽

Цена за единицу: 29.615385 ₽

Итоговая цена: 29.67 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иBSC097N06NSATMA1	иFQB50N06LTM
Производитель:	Infineon Technologies	ON Semiconductor
Описание:	MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8	Trans MOSFET N-CH 60V 52.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Срок поставки от производителя	26 Weeks	7 Weeks
Покрытие контактов	Tin	Tin
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-PowerTDFN	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Количество контактов	8	3
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	46A Tc	52.4A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	6V 10V	5V 10V
Количество элементов	1	1
Максимальная мощность рассеяния	2.5W Ta 36W Tc	3.75W Ta 121W Tc
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~175°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	OptiMOS™	QFET®
Опубликовано	2005	2001
Код JESD-609	e3	e3
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	5	2
Код ECCN	EAR99	EAR99
Положение терминала	DUAL	-
Форма вывода	FLAT	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH	not_compliant	not_compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
Код JESD-30	R-PDSO-F5	R-PSSO-G2
Конфигурация	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	-
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка	DRAIN	DRAIN
Тип ТРВ	N-Channel	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	9.7m Ω @ 40A, 10V	21m Ω @ 26.2A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	3.3V @ 14μA	2.5V @ 250μA
Без галогенов	Halogen Free	-
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	1075pF @ 30V	1630pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	15nC @ 10V	32nC @ 5V
Время подъема	2ns	380ns
Угол настройки (макс.)	±20V	±20V
Непрерывный ток стока (ID)	46A	52.4A
Пороговое напряжение	2.8V	2.5V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V
Максимальное напряжение питания с двумя источниками	60V	-
Максимальный сливовой ток (ID)	12A	-
Сопротивление открытого канала-макс	0.0097Ohm	0.025Ohm
Рейтинг энергии лавины (Eas)	13 mJ	990 mJ
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Contains Lead	Lead Free
Состояние жизненного цикла	-	ACTIVE (Last Updated: 23 hours ago)
Вес	-	1.31247g
Время отключения	-	80 ns
Безоловая кодировка	-	yes
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	60V
Моментальный ток	-	52.4A
Квалификационный Статус	-	Not Qualified
Конфигурация элемента	-	Single
Распад мощности	-	3.75W
Время задержки включения	-	20 ns
Время падения (тип)	-	145 ns
Напряжение пробоя стока к истоку	-	60V
Высота	-	4.83mm
Длина	-	10.67mm
Ширина	-	9.65mm

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
IPD088N06N3GBTMA1	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R	Для сравнения
NTTFS5C673NLTAG	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-PowerWDFN	MOSFET N-CH 60V 13A WDFN8	Для сравнения
FQB50N06LTM	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Trans MOSFET N-CH 60V 52.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R	Для сравнения
AUIRFR3806	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	MOSFET N-CH 60V 43A DPAK	Для сравнения