BFU660F,115NXP USA Inc.
В наличии: 15752
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
23.554505 ₽
23.49 ₽
10
22.221264 ₽
222.25 ₽
100
20.963420 ₽
2,096.29 ₽
500
19.776868 ₽
9,888.46 ₽
1000
18.657376 ₽
18,657.42 ₽
Цена за единицу: 23.554505 ₽
Итоговая цена: 23.49 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | TRANSISTOR NPN SOT343F | TRANSISTOR NPN SOT343F | TRANSISTOR NPN SOT343F |
Срок поставки от производителя | 13 Weeks | 13 Weeks | 13 Weeks |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SOT-343F | SOT-343F | SOT-343F |
Максимальный коллекторный ток (Ic) | 60mA | 100mA | 30mA |
Рабочая температура | 150°C TJ | 150°C TJ | 150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2010 | 2010 | 2010 |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Основной номер части | BFU660 | BFU690 | BFU630 |
Число контактов | 4 | 4 | 4 |
Мощность - Макс | 225mW | 230mW | 200mW |
Тип транзистора | NPN | NPN | NPN |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 90 @ 10mA 2V | 90 @ 20mA 2V | 90 @ 5mA 2V |
Увеличение | 12dB ~ 21dB | 15.5dB ~ 18.5dB | 13dB ~ 22.5dB |
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.) | 5.5V | 5.5V | 5.5V |
Частота - Переход | 21GHz | 18GHz | 21GHz |
Дата проверки статуса URL-адреса источника | 2013-06-14 00:00:00 | - | 2013-06-14 00:00:00 |
Шумовая фигура (дБ тип @ ф) | 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz | 0.6dB ~ 0.7dG @ 1.5GHz ~ 2.4GHz | 0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Поверхностный монтаж | - | YES | - |
Материал элемента транзистора | - | SILICON | - |
Количество элементов | - | 1 | - |
Код JESD-609 | - | e3 | - |
Количество выводов | - | 4 | - |
Код ECCN | - | EAR99 | - |
Конечная обработка контакта | - | Tin (Sn) | - |
Дополнительная Характеристика | - | LOW NOISE | - |
Код ТН ВЭД | - | 8541.21.00.75 | - |
Положение терминала | - | DUAL | - |
Форма вывода | - | FLAT | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | 260 | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | 30 | - |
Код JESD-30 | - | R-PDSO-F4 | - |
Конфигурация | - | SINGLE | - |
Применение транзистора | - | AMPLIFIER | - |
Полярность/Тип канала | - | NPN | - |
Частота перехода | - | 18000MHz | - |
Максимальная потеря мощности (абс.) | - | 0.23W | - |
Частотная полоса наивысшего режима | - | KA B | - |