Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
BFU660F,115 Альтернативные части: MT3S16U(TE85L,F)
BFU660F,115NXP USA Inc.
В наличии: 15752
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
23.554505 ₽
23.49 ₽
10
22.221264 ₽
222.25 ₽
100
20.963420 ₽
2,096.29 ₽
500
19.776868 ₽
9,888.46 ₽
1000
18.657376 ₽
18,657.42 ₽
Цена за единицу: 23.554505 ₽
Итоговая цена: 23.49 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | TRANSISTOR NPN SOT343F | TRANS RF NPN 5V 1GHZ USM |
Срок поставки от производителя | 13 Weeks | 16 Weeks |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SOT-343F | SC-70, SOT-323 |
Максимальный коллекторный ток (Ic) | 60mA | - |
Рабочая температура | 150°C TJ | 125°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2010 | 2014 |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Основной номер части | BFU660 | - |
Число контактов | 4 | - |
Мощность - Макс | 225mW | - |
Тип транзистора | NPN | NPN |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 90 @ 10mA 2V | 80 @ 5mA 1V |
Увеличение | 12dB ~ 21dB | 4.5dBi |
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.) | 5.5V | - |
Частота - Переход | 21GHz | - |
Дата проверки статуса URL-адреса источника | 2013-06-14 00:00:00 | - |
Шумовая фигура (дБ тип @ ф) | 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz | 2.4dB @ 1GHz |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant |
Монтаж | - | Surface Mount |
Вес | - | 6.208546mg |
Диэлектрический пробой напряжение | - | 5V |
Минимальная частота работы в герцах | - | 80 |
Максимальная потеря мощности | - | 100mW |
Частота | - | 4GHz |
Конфигурация элемента | - | Single |
Полярность/Тип канала | - | NPN |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | - | 5V |
Максимальный ток сбора | - | 60mA |
Частота перехода | - | 2000MHz |
Максимальное напряжение разрушения | - | 5V |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | - | 10V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - | 2V |
Прямоходящий ток коллектора | - | 60mA |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | BFU690F,115 | NXP USA Inc. | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ | SOT-343F | TRANSISTOR NPN SOT343F | Для сравнения |
| BFU630F,115 | NXP USA Inc. | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ | SOT-343F | TRANSISTOR NPN SOT343F | Для сравнения |
 | MT3S16U(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ | SC-70, SOT-323 | TRANS RF NPN 5V 1GHZ USM | Для сравнения |
| BFU610F,115 | NXP USA Inc. | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ | SOT-343F | TRANSISTOR, RF, NPN, 5.5V, 15GHZ, SOT-343F - More Details | Для сравнения |