BCW71 Альтернативные части: MMBT2222A-7-F

BCW71ON Semiconductor

  • BCW71ON Semiconductor
  • MMBT2222A-7-FDiodes Incorporated

В наличии: 6

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    34.540220 ₽

    34.48 ₽

  • 10

    32.585151 ₽

    325.82 ₽

  • 100

    30.740701 ₽

    3,074.04 ₽

  • 500

    29.000646 ₽

    14,500.27 ₽

  • 1000

    27.359121 ₽

    27,359.07 ₽

Цена за единицу: 34.540220 ₽

Итоговая цена: 34.48 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS NPN 45V 0.5A SOT-23
TRANS NPN 40V 0.6A SMD SOT23-3
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
-
Срок поставки от производителя
39 Weeks
19 Weeks
Покрытие контактов
Tin
Tin
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
Вес
30mg
7.994566mg
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
45V
40V
Количество элементов
1
1
Минимальная частота работы в герцах
110
100
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2000
2008
Код JESD-609
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный
45V
40V
Максимальная потеря мощности
350mW
300mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Моментальный ток
500mA
600mA
Частота
330MHz
300MHz
Основной номер части
BCW71
MMBT2222A
Конфигурация элемента
Single
Single
Распад мощности
350mW
350mW
Применение транзистора
AMPLIFIER
SWITCHING
Продуктивность полосы частот
330MHz
300MHz
Полярность/Тип канала
NPN
NPN
Тип транзистора
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
45V
40V
Максимальный ток сбора
500mA
600mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
110 @ 2mA 5V
100 @ 150mA 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100μA ICBO
10nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
250mV @ 500μA, 10mA
1V @ 50mA, 500mA
Частота перехода
330MHz
300MHz
Максимальное напряжение разрушения
45V
40V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
50V
75V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
6V
Высота
930μm
1.1mm
Длина
2.92mm
3mm
Ширина
1.3mm
1.4mm
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Серия
-
Automotive, AEC-Q101
Завершение
-
SMD/SMT
Дополнительная Характеристика
-
HIGH RELIABILITY
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
40
Число контактов
-
3
Напряжение
-
40V
Текущий
-
1A
Мощность - Макс
-
310mW
Прямоходящий ток коллектора
-
600mA
Время выключения максимальное (toff)
-
285ns