Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
BCW71 Альтернативные части: MMBT100
BCW71ON Semiconductor
В наличии: 6
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
34.540220 ₽
34.48 ₽
10
32.585151 ₽
325.82 ₽
100
30.740701 ₽
3,074.04 ₽
500
29.000646 ₽
14,500.27 ₽
1000
27.359121 ₽
27,359.07 ₽
Цена за единицу: 34.540220 ₽
Итоговая цена: 34.48 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | TRANS NPN 45V 0.5A SOT-23 | Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) | ACTIVE (Last Updated: 15 hours ago) |
Срок поставки от производителя | 39 Weeks | 39 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | Tin |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Количество контактов | 3 | 3 |
Вес | 30mg | 30mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 45V | 45V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 110 | 100 |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2000 | 2008 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 45V | 45V |
Максимальная потеря мощности | 350mW | 350mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Моментальный ток | 500mA | 500mA |
Частота | 330MHz | 250MHz |
Основной номер части | BCW71 | MMBT100 |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Распад мощности | 350mW | 350mW |
Применение транзистора | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
Продуктивность полосы частот | 330MHz | 250MHz |
Полярность/Тип канала | NPN | NPN |
Тип транзистора | NPN | NPN |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 45V | 45V |
Максимальный ток сбора | 500mA | 500mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 110 @ 2mA 5V | 100 @ 150mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 100μA ICBO | 50nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 250mV @ 500μA, 10mA | 400mV @ 20mA, 200mA |
Частота перехода | 330MHz | 250MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 45V | 45V |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 50V | 75V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5V | 6V |
Высота | 930μm | 970μm |
Длина | 2.92mm | 2.9mm |
Ширина | 1.3mm | 1.3mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Максимальное напряжение на выходе | - | 0.2 V |
Сопротивление базы-эмиттора макс | - | 4.5pF |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | MMBT100 | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R | Для сравнения |
| BCW31 | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS NPN 32V 0.5A SOT-23 | Для сравнения |
| MMBT2222A | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS NPN 40V 1A SOT-23 | Для сравнения |
 | MMBT2222A-7-F | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS NPN 40V 0.6A SMD SOT23-3 | Для сравнения |