BCV72 Альтернативные части: MMBTA05 ,KST05MTF

BCV72ON Semiconductor

  • BCV72ON Semiconductor
  • MMBTA05ON Semiconductor
  • KST05MTFON Semiconductor

В наличии: 42

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    26.528805 ₽

    26.51 ₽

  • 10

    25.027170 ₽

    250.27 ₽

  • 100

    23.610549 ₽

    2,360.99 ₽

  • 500

    22.274121 ₽

    11,137.09 ₽

  • 1000

    21.013310 ₽

    21,013.32 ₽

Цена за единицу: 26.528805 ₽

Итоговая цена: 26.51 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS NPN 60V 0.5A SOT-23
Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Состояние жизненного цикла
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 weeks ago)
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
3
Вес
30mg
30mg
30mg
Диэлектрический пробой напряжение
60V
60V
60V
Количество элементов
1
1
1
Минимальная частота работы в герцах
200
100
50
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
-
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2004
2002
2008
Код JESD-609
e3
-
e3
Безоловая кодировка
yes
-
yes
Состояние изделия
Obsolete
Obsolete
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Код ECCN
EAR99
-
EAR99
Конечная обработка контакта
Tin (Sn)
-
Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный
60V
60V
60V
Максимальная потеря мощности
350mW
350mW
350mW
Температура пайки (пиковая) (°C)
NOT SPECIFIED
-
-
Моментальный ток
500mA
500mA
500mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
NOT SPECIFIED
-
-
Основной номер части
BCV72
MMBTA05
KST05
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Распад мощности
350mW
350mW
350mW
Полярность/Тип канала
NPN
-
NPN
Тип транзистора
NPN
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
60V
60V
60V
Максимальный ток сбора
500mA
500mA
500mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
200 @ 2mA 5V
100 @ 100mA 1V
50 @ 100mA 1V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA ICBO
100nA
100nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
250mV @ 500μA, 10mA
250mV @ 10mA, 100mA
250mV @ 10mA, 100mA
Частота перехода
250MHz
-
100MHz
Максимальное напряжение разрушения
60V
60V
60V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
60V
60V
60V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
4V
4V
Высота
930μm
930μm
-
Длина
2.9mm
2.9mm
-
Ширина
1.3mm
1.3mm
-
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
RoHS Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Срок поставки от производителя
-
6 Weeks
6 Weeks
Покрытие контактов
-
Tin
-
Поставщик упаковки устройства
-
SOT-23-3
-
Максимальный коллекторный ток (Ic)
-
500mA
-
Максимальная рабочая температура
-
150°C
150°C
Минимальная температура работы
-
-55°C
-
Частота
-
100MHz
100MHz
Направленность
-
NPN
-
Мощность - Макс
-
350mW
-
Продуктивность полосы частот
-
100MHz
100MHz
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
-
60V
-
Максимальная частота
-
100MHz
-
Частота - Переход
-
100MHz
-
REACH SVHC
-
No SVHC
-
Корпусировка на излучение
-
No
No
Материал элемента транзистора
-
-
SILICON
Количество выводов
-
-
3
Положение терминала
-
-
DUAL
Форма вывода
-
-
GULL WING