BCV72ON Semiconductor
В наличии: 42
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
26.528805 ₽
26.51 ₽
10
25.027170 ₽
250.27 ₽
100
23.610549 ₽
2,360.99 ₽
500
22.274121 ₽
11,137.09 ₽
1000
21.013310 ₽
21,013.32 ₽
Цена за единицу: 26.528805 ₽
Итоговая цена: 26.51 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | TRANS NPN 60V 0.5A SOT-23 | TRANS NPN 60V 0.5A SOT23-3 |
Состояние жизненного цикла | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago) | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Количество контактов | 3 | 3 |
Вес | 30mg | 7.994566mg |
Диэлектрический пробой напряжение | 60V | 60V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 200 | 100 |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2004 | 2017 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Obsolete | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 60V | 60V |
Максимальная потеря мощности | 350mW | 300mW |
Температура пайки (пиковая) (°C) | NOT SPECIFIED | 260 |
Моментальный ток | 500mA | 100mA |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | NOT SPECIFIED | 40 |
Основной номер части | BCV72 | MMBTA05 |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Распад мощности | 350mW | 350mW |
Полярность/Тип канала | NPN | NPN |
Тип транзистора | NPN | NPN |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 60V | 60V |
Максимальный ток сбора | 500mA | 500mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 200 @ 2mA 5V | 100 @ 100mA 1V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 100nA ICBO | 100nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 250mV @ 500μA, 10mA | 250mV @ 10mA, 100mA |
Частота перехода | 250MHz | 100MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 60V | 60V |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 60V | 60V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5V | 4V |
Высота | 930μm | 1mm |
Длина | 2.9mm | 3.05mm |
Ширина | 1.3mm | 1.4mm |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Срок поставки от производителя | - | 15 Weeks |
Материал элемента транзистора | - | SILICON |
Серия | - | Automotive, AEC-Q101 |
Количество выводов | - | 3 |
Дополнительная Характеристика | - | HIGH RELIABILITY |
Положение терминала | - | DUAL |
Форма вывода | - | GULL WING |
Частота | - | 100MHz |
Число контактов | - | 3 |
Применение транзистора | - | SWITCHING |
Продуктивность полосы частот | - | 100MHz |
Прямоходящий ток коллектора | - | 500mA |
REACH SVHC | - | No SVHC |
Корпусировка на излучение | - | No |