BCV72ON Semiconductor
В наличии: 42
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
26.528805 ₽
26.51 ₽
10
25.027170 ₽
250.27 ₽
100
23.610549 ₽
2,360.99 ₽
500
22.274121 ₽
11,137.09 ₽
1000
21.013310 ₽
21,013.32 ₽
Цена за единицу: 26.528805 ₽
Итоговая цена: 26.51 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | TRANS NPN 60V 0.5A SOT-23 | Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R | Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
Состояние жизненного цикла | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago) | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 weeks ago) | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Количество контактов | 3 | 3 | 3 |
Вес | 30mg | 30mg | 30mg |
Диэлектрический пробой напряжение | 60V | 60V | 60V |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 200 | 50 | 110 |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | - | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2004 | 2008 | 2004 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes | yes |
Состояние изделия | Obsolete | Obsolete | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Tin (Sn) | Tin (Sn) | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 60V | 60V | 60V |
Максимальная потеря мощности | 350mW | 350mW | 350mW |
Температура пайки (пиковая) (°C) | NOT SPECIFIED | - | - |
Моментальный ток | 500mA | 500mA | 500mA |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | NOT SPECIFIED | - | - |
Основной номер части | BCV72 | KST05 | BCV71 |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Распад мощности | 350mW | 350mW | 350mW |
Полярность/Тип канала | NPN | NPN | NPN |
Тип транзистора | NPN | NPN | NPN |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 60V | 60V | 60V |
Максимальный ток сбора | 500mA | 500mA | 500mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 200 @ 2mA 5V | 50 @ 100mA 1V | 110 @ 2mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 100nA ICBO | 100nA | 100nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 250mV @ 500μA, 10mA | 250mV @ 10mA, 100mA | 250mV @ 500μA, 10mA |
Частота перехода | 250MHz | 100MHz | - |
Максимальное напряжение разрушения | 60V | 60V | 60V |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 60V | 60V | 80V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5V | 4V | 5V |
Высота | 930μm | - | 930μm |
Длина | 2.9mm | - | 2.9mm |
Ширина | 1.3mm | - | 1.3mm |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Срок поставки от производителя | - | 6 Weeks | 17 Weeks |
Материал элемента транзистора | - | SILICON | SILICON |
Количество выводов | - | 3 | 3 |
Максимальная рабочая температура | - | 150°C | - |
Положение терминала | - | DUAL | DUAL |
Форма вывода | - | GULL WING | GULL WING |
Частота | - | 100MHz | - |
Продуктивность полосы частот | - | 100MHz | - |
Корпусировка на излучение | - | No | No |
Покрытие контактов | - | - | Tin |
Применение транзистора | - | - | AMPLIFIER |
REACH SVHC | - | - | No SVHC |