BCV71 Альтернативные части: BCW71

BCV71ON Semiconductor

  • BCV71ON Semiconductor
  • BCW71ON Semiconductor

В наличии: 581

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    24.945714 ₽

    25.00 ₽

  • 10

    23.533695 ₽

    235.30 ₽

  • 100

    22.201593 ₽

    2,220.19 ₽

  • 500

    20.944904 ₽

    10,472.39 ₽

  • 1000

    19.759313 ₽

    19,759.34 ₽

Цена за единицу: 24.945714 ₽

Итоговая цена: 25.00 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
TRANS NPN 45V 0.5A SOT-23
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Срок поставки от производителя
17 Weeks
39 Weeks
Покрытие контактов
Tin
Tin
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
Вес
30mg
30mg
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
60V
45V
Количество элементов
1
1
Минимальная частота работы в герцах
110
110
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2004
2000
Код JESD-609
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный
60V
45V
Максимальная потеря мощности
350mW
350mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Моментальный ток
500mA
500mA
Основной номер части
BCV71
BCW71
Конфигурация элемента
Single
Single
Распад мощности
350mW
350mW
Применение транзистора
AMPLIFIER
AMPLIFIER
Полярность/Тип канала
NPN
NPN
Тип транзистора
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
60V
45V
Максимальный ток сбора
500mA
500mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
110 @ 2mA 5V
110 @ 2mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA ICBO
100μA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
250mV @ 500μA, 10mA
250mV @ 500μA, 10mA
Максимальное напряжение разрушения
60V
45V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
80V
50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
5V
Высота
930μm
930μm
Длина
2.9mm
2.92mm
Ширина
1.3mm
1.3mm
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Частота
-
330MHz
Продуктивность полосы частот
-
330MHz
Частота перехода
-
330MHz