BCV71 Альтернативные части: BCV72

BCV71ON Semiconductor

  • BCV71ON Semiconductor
  • BCV72ON Semiconductor

В наличии: 581

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    24.945714 ₽

    25.00 ₽

  • 10

    23.533695 ₽

    235.30 ₽

  • 100

    22.201593 ₽

    2,220.19 ₽

  • 500

    20.944904 ₽

    10,472.39 ₽

  • 1000

    19.759313 ₽

    19,759.34 ₽

Цена за единицу: 24.945714 ₽

Итоговая цена: 25.00 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
TRANS NPN 60V 0.5A SOT-23
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
Срок поставки от производителя
17 Weeks
-
Покрытие контактов
Tin
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
Вес
30mg
30mg
Материал элемента транзистора
SILICON
-
Диэлектрический пробой напряжение
60V
60V
Количество элементов
1
1
Минимальная частота работы в герцах
110
200
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2004
2004
Код JESD-609
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Active
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
-
Код ECCN
EAR99
EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный
60V
60V
Максимальная потеря мощности
350mW
350mW
Положение терминала
DUAL
-
Форма вывода
GULL WING
-
Моментальный ток
500mA
500mA
Основной номер части
BCV71
BCV72
Конфигурация элемента
Single
Single
Распад мощности
350mW
350mW
Применение транзистора
AMPLIFIER
-
Полярность/Тип канала
NPN
NPN
Тип транзистора
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
60V
60V
Максимальный ток сбора
500mA
500mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
110 @ 2mA 5V
200 @ 2mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA ICBO
100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
250mV @ 500μA, 10mA
250mV @ 500μA, 10mA
Максимальное напряжение разрушения
60V
60V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
80V
60V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
5V
Высота
930μm
930μm
Длина
2.9mm
2.9mm
Ширина
1.3mm
1.3mm
REACH SVHC
No SVHC
-
Корпусировка на излучение
No
-
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Конечная обработка контакта
-
Tin (Sn)
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
NOT SPECIFIED
Частота перехода
-
250MHz