BCP5116TA Альтернативные части: NJT4030PT3G

BCP5116TADiodes Incorporated

В наличии: 251

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
8.807761 ₽
8.79 ₽
500
6.476291 ₽
3,238.19 ₽
1000
5.396909 ₽
5,396.98 ₽
2000
4.951346 ₽
9,902.75 ₽
5000
4.627335 ₽
23,136.68 ₽
10000
4.304574 ₽
43,045.74 ₽
15000
4.162953 ₽
62,444.23 ₽
50000
4.093407 ₽
204,670.33 ₽

Цена за единицу: 8.807761 ₽

Итоговая цена: 8.79 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иBCP5116TA	иNJT4030PT3G
Производитель:	Diodes Incorporated	ON Semiconductor
Описание:	TRANS PNP 45V 1A SOT223	ON Semi NJT4030PT3G PNP Bipolar Transistor; 3 A; 40 V SOT-223
Срок поставки от производителя	15 Weeks	8 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-261-4, TO-261AA	TO-261-4, TO-261AA
Количество контактов	4	4
Вес	7.994566mg	-
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	45V	40V
Количество элементов	1	1
Минимальная частота работы в герцах	100	220
Рабочая температура	-65°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2011	2007
Код JESD-609	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	4	4
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	-
Дополнительная Характеристика	HIGH RELIABILITY	-
Максимальная потеря мощности	2W	2W
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260
Частота	150MHz	160MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40
Основной номер части	BCP51	NJT4030
Число контактов	4	4
Конфигурация элемента	Single	Single
Распад мощности	2W	2W
Сокетная связка	COLLECTOR	COLLECTOR
Применение транзистора	SWITCHING	AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот	150MHz	160MHz
Полярность/Тип канала	PNP	PNP
Тип транзистора	PNP	PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	45V	40V
Максимальный ток сбора	1A	3A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	100 @ 150mA 2V	200 @ 1A 1V
Ток - отсечка коллектора (макс)	100nA ICBO	100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	500mV @ 50mA, 500mA	500mV @ 300mA, 3A
Частота перехода	150MHz	160MHz
Максимальное напряжение разрушения	45V	40V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	45V	40V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5V	6V
Высота	1.65mm	1.65mm
Длина	6.55mm	6.7mm
Ширина	3.55mm	3.7mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Состояние жизненного цикла	-	ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Покрытие контактов	-	Tin

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
BCP51TA	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-261-4, TO-261AA	TRANS PNP 45V 1A SOT223-4	Для сравнения
NJT4030PT1G	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-261-4, TO-261AA	Trans GP BJT PNP 40V 3A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R	Для сравнения
BCP53TA	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-261-4, TO-261AA	TRANS PNP 80V 1A SOT223-4	Для сравнения
NJT4030PT3G	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-261-4, TO-261AA	ON Semi NJT4030PT3G PNP Bipolar Transistor; 3 A; 40 V SOT-223	Для сравнения