BCP5116TA Альтернативные части: BCP53TA

BCP5116TADiodes Incorporated

В наличии: 251

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
8.807761 ₽
8.79 ₽
500
6.476291 ₽
3,238.19 ₽
1000
5.396909 ₽
5,396.98 ₽
2000
4.951346 ₽
9,902.75 ₽
5000
4.627335 ₽
23,136.68 ₽
10000
4.304574 ₽
43,045.74 ₽
15000
4.162953 ₽
62,444.23 ₽
50000
4.093407 ₽
204,670.33 ₽

Цена за единицу: 8.807761 ₽

Итоговая цена: 8.79 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иBCP5116TA	иBCP53TA
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	TRANS PNP 45V 1A SOT223	TRANS PNP 80V 1A SOT223-4
Срок поставки от производителя	15 Weeks	15 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-261-4, TO-261AA	TO-261-4, TO-261AA
Количество контактов	4	4
Вес	7.994566mg	7.994566mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	45V	80V
Количество элементов	1	1
Минимальная частота работы в герцах	100	40
Рабочая температура	-65°C~150°C TJ	-65°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Cut Tape (CT)
Опубликовано	2011	2011
Код JESD-609	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	4	4
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	-
Дополнительная Характеристика	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY
Максимальная потеря мощности	2W	2W
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260
Частота	150MHz	150MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40
Основной номер части	BCP51	BCP53
Число контактов	4	-
Конфигурация элемента	Single	Single
Распад мощности	2W	2W
Сокетная связка	COLLECTOR	COLLECTOR
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Продуктивность полосы частот	150MHz	150MHz
Полярность/Тип канала	PNP	PNP
Тип транзистора	PNP	PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	45V	80V
Максимальный ток сбора	1A	1A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	100 @ 150mA 2V	40 @ 150mA 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)	100nA ICBO	100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	500mV @ 50mA, 500mA	500mV @ 50mA, 500mA
Частота перехода	150MHz	150MHz
Максимальное напряжение разрушения	45V	80V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	45V	100V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5V	5V
Высота	1.65mm	1.65mm
Длина	6.55mm	6.55mm
Ширина	3.55mm	3.55mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Contains Lead
Покрытие контактов	-	Tin
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	-80V
Моментальный ток	-	-1A
Квалификационный Статус	-	Not Qualified

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
BCP51TA	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-261-4, TO-261AA	TRANS PNP 45V 1A SOT223-4	Для сравнения
NJT4030PT1G	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-261-4, TO-261AA	Trans GP BJT PNP 40V 3A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R	Для сравнения
BCP53TA	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-261-4, TO-261AA	TRANS PNP 80V 1A SOT223-4	Для сравнения
NJT4030PT3G	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-261-4, TO-261AA	ON Semi NJT4030PT3G PNP Bipolar Transistor; 3 A; 40 V SOT-223	Для сравнения