BC858C-7-F Альтернативные части: BC858B-7-F ,BC858BMTF

BC858C-7-FDiodes Incorporated

В наличии: 3000

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
1.542720 ₽
1.51 ₽
10
1.455398 ₽
14.56 ₽
100
1.373022 ₽
137.36 ₽
500
1.295302 ₽
647.66 ₽
1000
1.221978 ₽
1,221.98 ₽

Цена за единицу: 1.542720 ₽

Итоговая цена: 1.51 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иBC858C-7-F	иBC858B-7-F	иBC858BMTF
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	ON Semiconductor
Описание:	Bipolar Transistors - BJT PNP BIPOLAR	Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R	Bipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP GP AMP
Срок поставки от производителя	19 Weeks	19 Weeks	13 Weeks
Покрытие контактов	Tin	Tin	Tin
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов	3	3	3
Вес	7.994566mg	7.994566mg	30mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	30V	30V	30V
Максимальный коллекторный ток (Ic)	100mA	-	-
Количество элементов	1	1	1
Минимальная частота работы в герцах	420	-	110
Рабочая температура	-65°C~150°C TJ	-65°C~150°C TJ	150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2008	2005	2004
Код JESD-609	e3	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active	Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3	3
Завершение	SMD/SMT	-	-
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Максимальная потеря мощности	300mW	300mW	310mW
Положение терминала	DUAL	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260	NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40	NOT SPECIFIED
Основной номер части	BC858	BC858	BC858
Число контактов	3	3	-
Квалификационный Статус	Not Qualified	-	Not Qualified
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	300mW	350mW	310mW
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
Продуктивность полосы частот	200MHz	200MHz	150MHz
Полярность/Тип канала	PNP	PNP	PNP
Тип транзистора	PNP	PNP	PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	30V	30V	30V
Максимальный ток сбора	100mA	100mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	420 @ 2mA 5V	220 @ 2mA 5V	200 @ 2mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	15nA	15nA	15nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	650mV @ 5mA, 100mA	650mV @ 5mA, 100mA	650mV @ 5mA, 100mA
Максимальная частота	100MHz	-	-
Частота перехода	200MHz	200MHz	150MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	30V	30V	-30V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5V	5V	-5V
Высота	1mm	1mm	930μm
Длина	3.05mm	3.05mm	2.9mm
Ширина	1.4mm	1.4mm	1.3mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	RoHS Compliant
Без свинца	Lead Free	-	Lead Free
Частота	-	200MHz	150MHz
Мощность - Макс	-	300mW	-
Корпусировка на излучение	-	No	-
Состояние жизненного цикла	-	-	LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	-	-30V
Моментальный ток	-	-	-100mA
Максимальное напряжение разрушения	-	-	30V

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
BC859BMTF	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Bipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP GP AMP	Для сравнения
BC858CMTF	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R	Для сравнения
BC858B-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R	Для сравнения
BC858BMTF	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Bipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP GP AMP	Для сравнения