Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
BC858C-7-F Альтернативные части: BC859BMTF
BC858C-7-FDiodes Incorporated
В наличии: 3000
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
1.542720 ₽
1.51 ₽
10
1.455398 ₽
14.56 ₽
100
1.373022 ₽
137.36 ₽
500
1.295302 ₽
647.66 ₽
1000
1.221978 ₽
1,221.98 ₽
Цена за единицу: 1.542720 ₽
Итоговая цена: 1.51 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Bipolar Transistors - BJT PNP BIPOLAR | Bipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP GP AMP |
Срок поставки от производителя | 19 Weeks | - |
Покрытие контактов | Tin | Tin |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Количество контактов | 3 | 3 |
Вес | 7.994566mg | 30mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 30V | 30V |
Максимальный коллекторный ток (Ic) | 100mA | - |
Количество элементов | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 420 | 110 |
Рабочая температура | -65°C~150°C TJ | 150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2008 | - |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 |
Завершение | SMD/SMT | - |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Максимальная потеря мощности | 300mW | 310mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | NOT SPECIFIED |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | NOT SPECIFIED |
Основной номер части | BC858 | BC859 |
Число контактов | 3 | - |
Квалификационный Статус | Not Qualified | Not Qualified |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Распад мощности | 300mW | 310mW |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Продуктивность полосы частот | 200MHz | 150MHz |
Полярность/Тип канала | PNP | PNP |
Тип транзистора | PNP | PNP |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 30V | 30V |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 420 @ 2mA 5V | 200 @ 2mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 15nA | 15nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA | 650mV @ 5mA, 100mA |
Максимальная частота | 100MHz | - |
Частота перехода | 200MHz | 150MHz |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 30V | -30V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5V | -5V |
Высота | 1mm | - |
Длина | 3.05mm | - |
Ширина | 1.4mm | - |
REACH SVHC | No SVHC | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Состояние жизненного цикла | - | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago) |
Дополнительная Характеристика | - | LOW NOISE |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | -30V |
Моментальный ток | - | -100mA |
Частота | - | 150MHz |
Максимальное напряжение разрушения | - | 30V |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | BC859BMTF | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP GP AMP | Для сравнения |
| BC858CMTF | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R | Для сравнения |
 | BC858B-7-F | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R | Для сравнения |
| BC858BMTF | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP GP AMP | Для сравнения |