BC858B-7-F Альтернативные части: BC859BMTF ,BC858CMTF

BC858B-7-FDiodes Incorporated

  • BC858B-7-FDiodes Incorporated
  • BC859BMTFON Semiconductor
  • BC858CMTFON Semiconductor

В наличии: 2523

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    7.829121 ₽

    7.83 ₽

  • 500

    5.756703 ₽

    2,878.30 ₽

  • 1000

    4.797253 ₽

    4,797.25 ₽

  • 2000

    4.401195 ₽

    8,802.34 ₽

  • 5000

    4.113255 ₽

    20,566.21 ₽

  • 10000

    3.826291 ₽

    38,262.91 ₽

  • 15000

    3.700412 ₽

    55,506.18 ₽

  • 50000

    3.638626 ₽

    181,931.32 ₽

Цена за единицу: 7.829121 ₽

Итоговая цена: 7.83 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Bipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP GP AMP
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Срок поставки от производителя
19 Weeks
-
17 Weeks
Покрытие контактов
Tin
Tin
Tin
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
3
Вес
7.994566mg
30mg
30mg
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
30V
30V
30V
Количество элементов
1
1
1
Рабочая температура
-65°C~150°C TJ
150°C TJ
150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2005
-
2004
Код JESD-609
e3
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
yes
Состояние изделия
Active
Obsolete
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Максимальная потеря мощности
300mW
310mW
310mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
NOT SPECIFIED
-
Частота
200MHz
150MHz
150MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
NOT SPECIFIED
-
Основной номер части
BC858
BC859
BC858
Число контактов
3
-
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Распад мощности
350mW
310mW
310mW
Мощность - Макс
300mW
-
-
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
SWITCHING
Продуктивность полосы частот
200MHz
150MHz
150MHz
Полярность/Тип канала
PNP
PNP
PNP
Тип транзистора
PNP
PNP
PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
30V
30V
30V
Максимальный ток сбора
100mA
100mA
100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
220 @ 2mA 5V
200 @ 2mA 5V
420 @ 2mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
15nA
15nA ICBO
15nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
650mV @ 5mA, 100mA
650mV @ 5mA, 100mA
650mV @ 5mA, 100mA
Частота перехода
200MHz
150MHz
150MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
30V
-30V
-30V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
-5V
-5V
Высота
1mm
-
930μm
Длина
3.05mm
-
2.9mm
Ширина
1.4mm
-
1.3mm
REACH SVHC
No SVHC
-
-
Корпусировка на излучение
No
-
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
Состояние жизненного цикла
-
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
LIFETIME (Last Updated: 1 day ago)
Минимальная частота работы в герцах
-
110
110
Дополнительная Характеристика
-
LOW NOISE
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
-
-30V
-30V
Моментальный ток
-
-100mA
-100mA
Квалификационный Статус
-
Not Qualified
-
Максимальное напряжение разрушения
-
30V
30V
Без свинца
-
Lead Free
Lead Free