Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
BC858B-7-F Альтернативные части: BC858C-7-F
BC858B-7-FDiodes Incorporated
В наличии: 2523
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
7.829121 ₽
7.83 ₽
500
5.756703 ₽
2,878.30 ₽
1000
4.797253 ₽
4,797.25 ₽
2000
4.401195 ₽
8,802.34 ₽
5000
4.113255 ₽
20,566.21 ₽
10000
3.826291 ₽
38,262.91 ₽
15000
3.700412 ₽
55,506.18 ₽
50000
3.638626 ₽
181,931.32 ₽
Цена за единицу: 7.829121 ₽
Итоговая цена: 7.83 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R | Bipolar Transistors - BJT PNP BIPOLAR |
Срок поставки от производителя | 19 Weeks | 19 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | Tin |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Количество контактов | 3 | 3 |
Вес | 7.994566mg | 7.994566mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 30V | 30V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Рабочая температура | -65°C~150°C TJ | -65°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2005 | 2008 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Максимальная потеря мощности | 300mW | 300mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Частота | 200MHz | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 40 |
Основной номер части | BC858 | BC858 |
Число контактов | 3 | 3 |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Распад мощности | 350mW | 300mW |
Мощность - Макс | 300mW | - |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Продуктивность полосы частот | 200MHz | 200MHz |
Полярность/Тип канала | PNP | PNP |
Тип транзистора | PNP | PNP |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 30V | 30V |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 220 @ 2mA 5V | 420 @ 2mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 15nA | 15nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA | 650mV @ 5mA, 100mA |
Частота перехода | 200MHz | 200MHz |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 30V | 30V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5V | 5V |
Высота | 1mm | 1mm |
Длина | 3.05mm | 3.05mm |
Ширина | 1.4mm | 1.4mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Максимальный коллекторный ток (Ic) | - | 100mA |
Минимальная частота работы в герцах | - | 420 |
Завершение | - | SMD/SMT |
Квалификационный Статус | - | Not Qualified |
Максимальная частота | - | 100MHz |
Без свинца | - | Lead Free |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | BC859BMTF | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP GP AMP | Для сравнения |
| BC858CMTF | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R | Для сравнения |
 | BC858C-7-F | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bipolar Transistors - BJT PNP BIPOLAR | Для сравнения |
| BC858A-7-F | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bipolar Transistors - BJT PNP BIPOLAR | Для сравнения |