BC857S Альтернативные части: MMBT3906WT1G

BC857SON Semiconductor

  • BC857SON Semiconductor
  • MMBT3906WT1GON Semiconductor

В наличии: 1992

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    22.067363 ₽

    22.12 ₽

  • 10

    20.818255 ₽

    208.24 ₽

  • 100

    19.639863 ₽

    1,964.01 ₽

  • 500

    18.528146 ₽

    9,264.01 ₽

  • 1000

    17.479464 ₽

    17,479.40 ₽

Цена за единицу: 22.067363 ₽

Итоговая цена: 22.12 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Trans GP BJT PNP 45V 0.2A 6-Pin SC-70 T/R
TRANS PNP 40V 0.2A SOT323
Состояние жизненного цикла
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Покрытие контактов
Tin
Tin
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-70, SOT-323
Количество контактов
6
3
Вес
28mg
4.535924g
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
45V
40V
Количество элементов
2
1
Минимальная частота работы в герцах
125
60
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2017
2006
Код JESD-609
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Obsolete
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
6
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный
-45V
-40V
Максимальная потеря мощности
300mW
150mW
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Моментальный ток
-200mA
-200mA
Частота
200MHz
250MHz
Основной номер части
BC857
MMBT3906
Направленность
PNP
-
Конфигурация элемента
Dual
Single
Распад мощности
300mW
150mW
Применение транзистора
AMPLIFIER
AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот
250MHz
250MHz
Тип транзистора
2 PNP (Dual)
PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
45V
40V
Максимальный ток сбора
200mA
200mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
125 @ 2mA 5V
100 @ 10mA 1V
Ток - отсечка коллектора (макс)
15nA ICBO
-
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
650mV @ 5mA, 100mA
400mV @ 5mA, 50mA
Частота перехода
200MHz
250MHz
Максимальное напряжение разрушения
45V
40V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
-50V
40V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
-5V
5V
Высота
1mm
1mm
Длина
2mm
2.2mm
Ширина
1.25mm
1.35mm
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Срок поставки от производителя
-
5 Weeks
Положение терминала
-
DUAL
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
40
Число контактов
-
3
Полярность/Тип канала
-
PNP
Время включения максимальный (тон)
-
70ns