BC857SON Semiconductor
В наличии: 1992
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
22.067363 ₽
22.12 ₽
10
20.818255 ₽
208.24 ₽
100
19.639863 ₽
1,964.01 ₽
500
18.528146 ₽
9,264.01 ₽
1000
17.479464 ₽
17,479.40 ₽
Цена за единицу: 22.067363 ₽
Итоговая цена: 22.12 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Trans GP BJT PNP 45V 0.2A 6-Pin SC-70 T/R | TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SC70-6 |
Состояние жизненного цикла | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago) | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago) |
Покрытие контактов | Tin | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Количество контактов | 6 | 6 |
Вес | 28mg | 28mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 45V | 40V |
Количество элементов | 2 | 2 |
Минимальная частота работы в герцах | 125 | 100 |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2017 | - |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Obsolete | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 6 | 6 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | -45V | 40V |
Максимальная потеря мощности | 300mW | 300mW |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Моментальный ток | -200mA | 200mA |
Частота | 200MHz | 200MHz |
Основной номер части | BC857 | FFB3946 |
Направленность | PNP | NPN, PNP |
Конфигурация элемента | Dual | Dual |
Распад мощности | 300mW | 300mW |
Применение транзистора | AMPLIFIER | SWITCHING |
Продуктивность полосы частот | 250MHz | 200MHz |
Тип транзистора | 2 PNP (Dual) | NPN, PNP |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 45V | 40V |
Максимальный ток сбора | 200mA | 200mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 125 @ 2mA 5V | 100 @ 10mA 1V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 15nA ICBO | 50nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA | 250mV @ 1mA, 10mA |
Частота перехода | 200MHz | 200MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 45V | 40V |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | -50V | 40V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | -5V | 5V |
Высота | 1mm | 1mm |
Длина | 2mm | 2mm |
Ширина | 1.25mm | 1.25mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | RoHS Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Конечная обработка контакта | - | Tin (Sn) |
Время выключения максимальное (toff) | - | 300ns |
Время включения максимальный (тон) | - | 70ns |