BC857BLP-7 Альтернативные части: BC857BLP4-7 ,DP0150BLP4-7

BC857BLP-7Diodes Incorporated

В наличии: 6982

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
38.378022 ₽
38.32 ₽
10
36.205632 ₽
362.09 ₽
100
34.156346 ₽
3,415.66 ₽
500
32.222953 ₽
16,111.54 ₽
1000
30.398942 ₽
30,398.90 ₽

Цена за единицу: 38.378022 ₽

Итоговая цена: 38.32 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иBC857BLP-7	иBC857BLP4-7	иDP0150BLP4-7
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	Bipolar Transistors - BJT 250mW 45V	TRANS PNP 45V 0.1A 3-DFN	Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 3-Pin DFN T/R
Срок поставки от производителя	19 Weeks	15 Weeks	16 Weeks
Покрытие контактов	Gold	Gold	-
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	3-UFDFN	3-XFDFN	3-XFDFN
Количество контактов	3	3	3
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	45V	45V	50V
Количество элементов	1	1	1
Минимальная частота работы в герцах	220	220	-
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2011	2011	2011
Код JESD-609	e4	e4	e4
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Дополнительная Характеристика	HIGH RELIABILITY	-	HIGH RELIABILITY
Ток постоянного напряжения - номинальный	-50V	-	-
Максимальная потеря мощности	250mW	250mW	450mW
Положение терминала	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260	260
Моментальный ток	-100mA	-	-
Частота	100MHz	-	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40	40
Основной номер части	BC857BLP	BC857BLP4	-
Число контактов	3	3	3
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	250mW	-	-
Сокетная связка	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR
Продуктивность полосы частот	200MHz	100MHz	80MHz
Полярность/Тип канала	PNP	PNP	-
Тип транзистора	PNP	PNP	NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	45V	45V	50V
Максимальный ток сбора	100mA	100mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	220 @ 2mA 5V	220 @ 2mA 5V	200 @ 2mA 6V
Ток - отсечка коллектора (макс)	15nA ICBO	15nA ICBO	100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	650mV @ 5mA, 100mA	650mV @ 5mA, 100mA	300mV @ 10mA, 100mA
Частота перехода	100MHz	100MHz	80MHz
Максимальное напряжение разрушения	45V	45V	50V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	50V	50V	50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5V	5V	5V
Высота	1.5mm	350μm	350μm
Длина	1mm	1mm	1mm
Ширина	600μm	600μm	600μm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	-	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	-	Lead Free
Форма вывода	-	NO LEAD	-
Квалификационный Статус	-	Not Qualified	-
Мощность - Макс	-	250mW	450mW
Конечная обработка контакта	-	-	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Направленность	-	-	PNP

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
BC857BLP4-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	3-XFDFN	TRANS PNP 45V 0.1A 3-DFN	Для сравнения
DP0150BLP4-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	3-XFDFN	Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 3-Pin DFN T/R	Для сравнения
2DC4617QLP-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	3-UFDFN	Trans GP BJT PNP 50V 0.1A Automotive 3-Pin DFN T/R	Для сравнения