Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
BC857BLP-7 Альтернативные части: 2DC4617QLP-7
BC857BLP-7Diodes Incorporated
В наличии: 6982
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
38.378022 ₽
38.32 ₽
10
36.205632 ₽
362.09 ₽
100
34.156346 ₽
3,415.66 ₽
500
32.222953 ₽
16,111.54 ₽
1000
30.398942 ₽
30,398.90 ₽
Цена за единицу: 38.378022 ₽
Итоговая цена: 38.32 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Bipolar Transistors - BJT 250mW 45V | Trans GP BJT PNP 50V 0.1A Automotive 3-Pin DFN T/R |
Срок поставки от производителя | 19 Weeks | 19 Weeks |
Покрытие контактов | Gold | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 3-UFDFN | 3-UFDFN |
Количество контактов | 3 | 3 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 45V | 50V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 220 | 120 |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2011 | 2015 |
Код JESD-609 | e4 | e4 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Дополнительная Характеристика | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY |
Ток постоянного напряжения - номинальный | -50V | - |
Максимальная потеря мощности | 250mW | 250mW |
Положение терминала | BOTTOM | BOTTOM |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Моментальный ток | -100mA | - |
Частота | 100MHz | 100MHz |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 40 |
Основной номер части | BC857BLP | 2DC4617 |
Число контактов | 3 | 3 |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Распад мощности | 250mW | 250mW |
Сокетная связка | COLLECTOR | COLLECTOR |
Продуктивность полосы частот | 200MHz | 100MHz |
Полярность/Тип канала | PNP | - |
Тип транзистора | PNP | NPN |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 45V | 50V |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 220 @ 2mA 5V | 120 @ 1mA 6V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 15nA ICBO | 100nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA | 200mV @ 5mA, 50mA |
Частота перехода | 100MHz | 100MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 45V | 50V |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 50V | 50V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5V | 5V |
Высота | 1.5mm | 470μm |
Длина | 1mm | 1mm |
Ширина | 600μm | 600μm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | - |
Конечная обработка контакта | - | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
Направленность | - | PNP |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | BC857BLP4-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | 3-XFDFN | TRANS PNP 45V 0.1A 3-DFN | Для сравнения |
| DP0150BLP4-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | 3-XFDFN | Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 3-Pin DFN T/R | Для сравнения |
 | 2DC4617QLP-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | 3-UFDFN | Trans GP BJT PNP 50V 0.1A Automotive 3-Pin DFN T/R | Для сравнения |