Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
BC848B-13-F Альтернативные части: RN1404S,LF ,DTC144GKAT146
BC848B-13-FDiodes Incorporated
В наличии: 9785
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
8.414382 ₽
8.38 ₽
500
6.187019 ₽
3,093.54 ₽
1000
5.155893 ₽
5,155.91 ₽
2000
4.730192 ₽
9,460.44 ₽
5000
4.420673 ₽
22,103.30 ₽
10000
4.112308 ₽
41,123.08 ₽
15000
3.977019 ₽
59,655.22 ₽
50000
3.910618 ₽
195,530.91 ₽
Цена за единицу: 8.414382 ₽
Итоговая цена: 8.38 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23 | Bipolar Transistors - Pre-Biased 50V VCBO 50V VCEO 100mA IC 200mW 4.7k | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 |
Срок поставки от производителя | 15 Weeks | 16 Weeks | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | - |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3 |
Количество контактов | 3 | 59 | 3 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 30V | 50V | 50V |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Рабочая температура | -65°C~150°C TJ | - | - |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2004 | 2014 | 2009 |
Код JESD-609 | e3 | - | e1 |
Безоловая кодировка | yes | - | yes |
Состояние изделия | Active | Active | Not For New Designs |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | - | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | - | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
Дополнительная Характеристика | HIGH RELIABILITY | BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1 | BUILT-IN BIAS RESISTOR |
Максимальная потеря мощности | 310mW | 200mW | 200mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | - | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | - | 10 |
Нормативная Марка | AEC-Q101 | - | - |
Конфигурация | SINGLE | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR | - |
Мощность - Макс | 310mW | - | - |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Полярность/Тип канала | NPN | - | - |
Тип транзистора | NPN | NPN - Pre-Biased | - |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 600mV | 300mV | 50V |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 450 @ 2mA 5V | 80 @ 10mA 5V | - |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 15nA | 500nA | - |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA | 300mV @ 250μA, 5mA | - |
Частота перехода | 300MHz | 250MHz | 250MHz |
Частота - Переход | 300MHz | 250MHz | - |
REACH SVHC | No SVHC | - | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant | ROHS3 Compliant |
Основной номер части | - | RN140* | - |
Код JESD-30 | - | R-PDSO-G3 | - |
Направленность | - | NPN | NPN |
Распад мощности | - | 200mW | 200mW |
Максимальное напряжение разрушения | - | 50V | 50V |
База (R1) | - | 47 k Ω | - |
Прямоходящий ток коллектора | - | 100mA | 100mA |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | - | 47 k Ω | - |
Минимальная частота работы в герцах | - | - | 68 |
Максимальная рабочая температура | - | - | 150°C |
Минимальная температура работы | - | - | -55°C |
Код ТН ВЭД | - | - | 8541.21.00.75 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | - | 50V |
Моментальный ток | - | - | 100mA |
Число контактов | - | - | 3 |
Максимальный выходной ток | - | - | 100mA |
Входной напряжение питания | - | - | 50V |
Конфигурация элемента | - | - | Single |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - | - | 5V |
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE) | - | - | 68 |
Корпусировка на излучение | - | - | No |
Без свинца | - | - | Lead Free |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | BC848BT116 | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS NPN 30V 0.1A SST3 | Для сравнения |
 | RN1404S,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bipolar Transistors - Pre-Biased 50V VCBO 50V VCEO 100mA IC 200mW 4.7k | Для сравнения |
 | DTC144GKAT146 | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | TO-236-3 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 | Для сравнения |
 | SMUN2212T1G | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SC-59 T/R | Для сравнения |