BC848B-13-F Альтернативные части: BC848BT116

BC848B-13-FDiodes Incorporated

В наличии: 9785

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
8.414382 ₽
8.38 ₽
500
6.187019 ₽
3,093.54 ₽
1000
5.155893 ₽
5,155.91 ₽
2000
4.730192 ₽
9,460.44 ₽
5000
4.420673 ₽
22,103.30 ₽
10000
4.112308 ₽
41,123.08 ₽
15000
3.977019 ₽
59,655.22 ₽
50000
3.910618 ₽
195,530.91 ₽

Цена за единицу: 8.414382 ₽

Итоговая цена: 8.38 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иBC848B-13-F	иBC848BT116
Производитель:	Diodes Incorporated	ROHM Semiconductor
Описание:	TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23	TRANS NPN 30V 0.1A SST3
Срок поставки от производителя	15 Weeks	13 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов	3	3
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	30V	30V
Количество элементов	1	1
Рабочая температура	-65°C~150°C TJ	150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2004	2005
Код JESD-609	e3	e1
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	-
Дополнительная Характеристика	HIGH RELIABILITY	-
Максимальная потеря мощности	310mW	350mW
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	10
Нормативная Марка	AEC-Q101	-
Конфигурация	SINGLE	-
Мощность - Макс	310mW	-
Применение транзистора	SWITCHING	AMPLIFIER
Полярность/Тип канала	NPN	NPN
Тип транзистора	NPN	NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	600mV	30V
Максимальный ток сбора	100mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	450 @ 2mA 5V	200 @ 2mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	15nA	100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	600mV @ 5mA, 100mA	600mV @ 5mA, 100mA
Частота перехода	300MHz	200MHz
Частота - Переход	300MHz	-
REACH SVHC	No SVHC	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Покрытие контактов	-	Copper, Silver, Tin
Минимальная частота работы в герцах	-	200
Код ТН ВЭД	-	8541.21.00.75
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	30V
Моментальный ток	-	100mA
Число контактов	-	3
Конфигурация элемента	-	Single
Продуктивность полосы частот	-	200MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	-	30V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	-	5V
Прямоходящий ток коллектора	-	100mA
Корпусировка на излучение	-	No
Без свинца	-	Lead Free

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
BC848BT116	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN 30V 0.1A SST3	Для сравнения
RN1404S,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Bipolar Transistors - Pre-Biased 50V VCBO 50V VCEO 100mA IC 200mW 4.7k	Для сравнения
DTC144GKAT146	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	TO-236-3	TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3	Для сравнения
SMUN2212T1G	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SC-59 T/R	Для сравнения