BC847S Альтернативные части: UMZ2NTR

BC847SON Semiconductor

  • BC847SON Semiconductor
  • UMZ2NTRROHM Semiconductor

В наличии: 1485

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    20.148462 ₽

    20.19 ₽

  • 10

    19.007967 ₽

    190.11 ₽

  • 100

    17.932033 ₽

    1,793.27 ₽

  • 500

    16.917033 ₽

    8,458.52 ₽

  • 1000

    15.959505 ₽

    15,959.48 ₽

Цена за единицу: 20.148462 ₽

Итоговая цена: 20.19 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Trans GP BJT NPN 45V 0.2A 6-Pin SC-70 T/R
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6UMT
Состояние жизненного цикла
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)
-
Срок поставки от производителя
51 Weeks
-
Покрытие контактов
Tin
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Количество контактов
6
6
Вес
28mg
-
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
45V
50V
Количество элементов
2
2
Минимальная частота работы в герцах
110
120
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2000
2004
Код JESD-609
e3
e2
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Obsolete
Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
6
6
Код ECCN
EAR99
EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный
45V
-
Максимальная потеря мощности
300mW
150mW
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
NOT SPECIFIED
260
Моментальный ток
200mA
150mA
Частота
200MHz
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
NOT SPECIFIED
10
Основной номер части
BC847S
*MZ2
Квалификационный Статус
Not Qualified
-
Направленность
NPN
NPN, PNP
Конфигурация элемента
Dual
Dual
Распад мощности
300mW
-
Применение транзистора
AMPLIFIER
SWITCHING
Продуктивность полосы частот
200MHz
180MHz
Тип транзистора
2 NPN (Dual)
NPN, PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
45V
50V
Максимальный ток сбора
200mA
150mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
110 @ 2mA 5V
120 @ 1mA 6V
Ток - отсечка коллектора (макс)
15nA ICBO
100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
650mV @ 5mA, 100mA
400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Частота перехода
200MHz
180MHz
Максимальное напряжение разрушения
60V
50V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
50V
60V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6V
7V
Высота
1mm
700μm
Длина
2mm
2mm
Ширина
1.25mm
1.25mm
REACH SVHC
No SVHC
-
Состояние RoHS
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Конечная обработка контакта
-
TIN COPPER
Код ТН ВЭД
-
8541.21.00.75
Число контактов
-
6
Максимальная частота
-
100MHz
Частота - Переход
-
180MHz 140MHz
Прямоходящий ток коллектора
-
150mA
Максимальное напряжение на выходе
-
0.4 V
Корпусировка на излучение
-
No