BC847S Альтернативные части: FFB3946

BC847SON Semiconductor

  • BC847SON Semiconductor
  • FFB3946ON Semiconductor

В наличии: 1485

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    20.148462 ₽

    20.19 ₽

  • 10

    19.007967 ₽

    190.11 ₽

  • 100

    17.932033 ₽

    1,793.27 ₽

  • 500

    16.917033 ₽

    8,458.52 ₽

  • 1000

    15.959505 ₽

    15,959.48 ₽

Цена за единицу: 20.148462 ₽

Итоговая цена: 20.19 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Trans GP BJT NPN 45V 0.2A 6-Pin SC-70 T/R
TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SC70-6
Состояние жизненного цикла
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
Срок поставки от производителя
51 Weeks
-
Покрытие контактов
Tin
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Количество контактов
6
6
Вес
28mg
28mg
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
45V
40V
Количество элементов
2
2
Минимальная частота работы в герцах
110
100
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2000
-
Код JESD-609
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Obsolete
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
6
6
Код ECCN
EAR99
EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный
45V
40V
Максимальная потеря мощности
300mW
300mW
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
NOT SPECIFIED
-
Моментальный ток
200mA
200mA
Частота
200MHz
200MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
NOT SPECIFIED
-
Основной номер части
BC847S
FFB3946
Квалификационный Статус
Not Qualified
-
Направленность
NPN
NPN, PNP
Конфигурация элемента
Dual
Dual
Распад мощности
300mW
300mW
Применение транзистора
AMPLIFIER
SWITCHING
Продуктивность полосы частот
200MHz
200MHz
Тип транзистора
2 NPN (Dual)
NPN, PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
45V
40V
Максимальный ток сбора
200mA
200mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
110 @ 2mA 5V
100 @ 10mA 1V
Ток - отсечка коллектора (макс)
15nA ICBO
50nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
650mV @ 5mA, 100mA
250mV @ 1mA, 10mA
Частота перехода
200MHz
200MHz
Максимальное напряжение разрушения
60V
40V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
50V
40V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6V
5V
Высота
1mm
1mm
Длина
2mm
2mm
Ширина
1.25mm
1.25mm
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
Состояние RoHS
RoHS Compliant
RoHS Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Конечная обработка контакта
-
Tin (Sn)
Время выключения максимальное (toff)
-
300ns
Время включения максимальный (тон)
-
70ns
Корпусировка на излучение
-
No