BC847CDLP-7 Альтернативные части: BC847BLP4-7 ,BC847BLP-7B

BC847CDLP-7Diodes Incorporated

  • BC847CDLP-7Diodes Incorporated
  • BC847BLP4-7Diodes Incorporated
  • BC847BLP-7BDiodes Incorporated

В наличии: 2880

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    11.624505 ₽

    11.68 ₽

  • 10

    10.966525 ₽

    109.62 ₽

  • 100

    10.345755 ₽

    1,034.62 ₽

  • 500

    9.760206 ₽

    4,880.08 ₽

  • 1000

    9.207651 ₽

    9,207.69 ₽

Цена за единицу: 11.624505 ₽

Итоговая цена: 11.68 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
BC847CDLP Series 45 V 100 mA Dual NPN Small Signal Transistor - X2-DFN1310-6
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 3-Pin DFN T/R
Bipolar Transistors - BJT General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10K
Срок поставки от производителя
19 Weeks
15 Weeks
15 Weeks
Покрытие контактов
Gold
Gold
Gold
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
6-XFDFN Exposed Pad
3-XFDFN
3-UFDFN
Количество контактов
6
3
3
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
45V
45V
45V
Количество элементов
2
1
1
Минимальная частота работы в герцах
420
-
-
Рабочая температура
-65°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2012
2011
2000
Код JESD-609
e4
e4
e4
Безоловая кодировка
yes
yes
yes
Состояние изделия
Active
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
6
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Максимальная потеря мощности
350mW
250mW
250mW
Положение терминала
BOTTOM
BOTTOM
BOTTOM
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
260
Частота
100MHz
100MHz
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
40
40
Основной номер части
BC847CD
BC847
BC847
Число контактов
6
3
3
Направленность
NPN
-
-
Конфигурация элемента
Dual
Single
Single
Распад мощности
350mW
250mW
-
Сокетная связка
COLLECTOR
COLLECTOR
COLLECTOR
Продуктивность полосы частот
100MHz
100MHz
100MHz
Тип транзистора
2 NPN (Dual)
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
45V
45V
45V
Максимальный ток сбора
100mA
100mA
100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
420 @ 2mA 5V
200 @ 2mA 5V
200 @ 2mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
15nA
15nA ICBO
15nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 100mA
600mV @ 5mA, 100mA
600mV @ 5mA, 100mA
Частота перехода
100MHz
100MHz
100MHz
Максимальное напряжение разрушения
45V
45V
45V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
50V
50V
50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6V
6V
6V
Высота
350μm
350μm
-
Длина
1.3mm
1mm
-
Ширина
1mm
600μm
-
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
-
-
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
-
-
Форма вывода
-
NO LEAD
NO LEAD
Квалификационный Статус
-
Not Qualified
Not Qualified
Полярность/Тип канала
-
NPN
NPN
Дополнительная Характеристика
-
-
HIGH RELIABILITY
Прямоходящий ток коллектора
-
-
100mA