Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
BC847CDLP-7 Альтернативные части: BC847BLP-7B
BC847CDLP-7Diodes Incorporated
В наличии: 2880
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
11.624505 ₽
11.68 ₽
10
10.966525 ₽
109.62 ₽
100
10.345755 ₽
1,034.62 ₽
500
9.760206 ₽
4,880.08 ₽
1000
9.207651 ₽
9,207.69 ₽
Цена за единицу: 11.624505 ₽
Итоговая цена: 11.68 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | BC847CDLP Series 45 V 100 mA Dual NPN Small Signal Transistor - X2-DFN1310-6 | Bipolar Transistors - BJT General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10K |
Срок поставки от производителя | 19 Weeks | 15 Weeks |
Покрытие контактов | Gold | Gold |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 6-XFDFN Exposed Pad | 3-UFDFN |
Количество контактов | 6 | 3 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 45V | 45V |
Количество элементов | 2 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 420 | - |
Рабочая температура | -65°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2012 | 2000 |
Код JESD-609 | e4 | e4 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 6 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Максимальная потеря мощности | 350mW | 250mW |
Положение терминала | BOTTOM | BOTTOM |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Частота | 100MHz | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 40 |
Основной номер части | BC847CD | BC847 |
Число контактов | 6 | 3 |
Направленность | NPN | - |
Конфигурация элемента | Dual | Single |
Распад мощности | 350mW | - |
Сокетная связка | COLLECTOR | COLLECTOR |
Продуктивность полосы частот | 100MHz | 100MHz |
Тип транзистора | 2 NPN (Dual) | NPN |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 45V | 45V |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 420 @ 2mA 5V | 200 @ 2mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 15nA | 15nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA | 600mV @ 5mA, 100mA |
Частота перехода | 100MHz | 100MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 45V | 45V |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 50V | 50V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6V | 6V |
Высота | 350μm | - |
Длина | 1.3mm | - |
Ширина | 1mm | - |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | - |
Дополнительная Характеристика | - | HIGH RELIABILITY |
Форма вывода | - | NO LEAD |
Квалификационный Статус | - | Not Qualified |
Полярность/Тип канала | - | NPN |
Прямоходящий ток коллектора | - | 100mA |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | BC847BLP-7B | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | 3-UFDFN | Bipolar Transistors - BJT General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10K | Для сравнения |
| BC847BLP-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | 3-UFDFN | TRANS NPN 45V 0.1A 3-DFN | Для сравнения |
 | BC847BLP4-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | 3-XFDFN | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 3-Pin DFN T/R | Для сравнения |