BC847CDLP-7 Альтернативные части: BC847BLP-7 ,BC847BLP4-7

BC847CDLP-7Diodes Incorporated

В наличии: 2880

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
11.624505 ₽
11.68 ₽
10
10.966525 ₽
109.62 ₽
100
10.345755 ₽
1,034.62 ₽
500
9.760206 ₽
4,880.08 ₽
1000
9.207651 ₽
9,207.69 ₽

Цена за единицу: 11.624505 ₽

Итоговая цена: 11.68 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иBC847CDLP-7	иBC847BLP-7	иBC847BLP4-7
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	BC847CDLP Series 45 V 100 mA Dual NPN Small Signal Transistor - X2-DFN1310-6	TRANS NPN 45V 0.1A 3-DFN	Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 3-Pin DFN T/R
Срок поставки от производителя	19 Weeks	19 Weeks	15 Weeks
Покрытие контактов	Gold	Gold	Gold
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	6-XFDFN Exposed Pad	3-UFDFN	3-XFDFN
Количество контактов	6	3	3
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	45V	45V	45V
Количество элементов	2	1	1
Минимальная частота работы в герцах	420	-	-
Рабочая температура	-65°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2012	2011	2011
Код JESD-609	e4	e4	e4
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	6	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Максимальная потеря мощности	350mW	250mW	250mW
Положение терминала	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260	260
Частота	100MHz	100MHz	100MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40	40
Основной номер части	BC847CD	BC847	BC847
Число контактов	6	3	3
Направленность	NPN	-	-
Конфигурация элемента	Dual	Single	Single
Распад мощности	350mW	250mW	250mW
Сокетная связка	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR
Продуктивность полосы частот	100MHz	100MHz	100MHz
Тип транзистора	2 NPN (Dual)	NPN	NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	45V	45V	45V
Максимальный ток сбора	100mA	100mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	420 @ 2mA 5V	200 @ 2mA 5V	200 @ 2mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	15nA	15nA ICBO	15nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	600mV @ 5mA, 100mA	600mV @ 5mA, 100mA	600mV @ 5mA, 100mA
Частота перехода	100MHz	100MHz	100MHz
Максимальное напряжение разрушения	45V	45V	45V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	50V	50V	50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6V	6V	6V
Высота	350μm	1.5mm	350μm
Длина	1.3mm	1mm	1mm
Ширина	1mm	600μm	600μm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	-
Дополнительная Характеристика	-	HIGH RELIABILITY	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	45V	-
Моментальный ток	-	100mA	-
Полярность/Тип канала	-	NPN	NPN
Форма вывода	-	-	NO LEAD
Квалификационный Статус	-	-	Not Qualified

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
BC847BLP-7B	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	3-UFDFN	Bipolar Transistors - BJT General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10K	Для сравнения
BC847BLP-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	3-UFDFN	TRANS NPN 45V 0.1A 3-DFN	Для сравнения
BC847BLP4-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	3-XFDFN	Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 3-Pin DFN T/R	Для сравнения