BC847C-13-F Альтернативные части: BC847C-7-F ,MMBT5962

BC847C-13-FDiodes Incorporated

В наличии: 20000

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
7.694794 ₽
7.69 ₽
500
5.657981 ₽
2,828.98 ₽
1000
4.714931 ₽
4,714.97 ₽
2000
4.325687 ₽
8,651.37 ₽
5000
4.042651 ₽
20,213.19 ₽
10000
3.760563 ₽
37,605.63 ₽
15000
3.636992 ₽
54,554.95 ₽
50000
3.576154 ₽
178,807.69 ₽

Цена за единицу: 7.694794 ₽

Итоговая цена: 7.69 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иBC847C-13-F	иBC847C-7-F	иMMBT5962
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	ON Semiconductor
Описание:	Trans GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R	TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3	Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Срок поставки от производителя	15 Weeks	15 Weeks	39 Weeks
Покрытие контактов	Tin	Tin	Tin
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов	3	3	3
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	45V	45V	45V
Максимальный коллекторный ток (Ic)	100mA	-	-
Количество элементов	1	1	1
Рабочая температура	-65°C~150°C TJ	-65°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2005	2008	1997
Код JESD-609	e3	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Дополнительная Характеристика	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	-
Максимальная потеря мощности	310mW	300mW	350mW
Положение терминала	DUAL	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260	-
Частота	300MHz	300MHz	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40	-
Конфигурация	SINGLE	-	-
Распад мощности	350mW	350mW	350mW
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING	AMPLIFIER
Полярность/Тип канала	NPN	NPN	NPN
Тип транзистора	NPN	NPN	NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	45V	45V	45V
Максимальный ток сбора	100mA	100mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	200 @ 2mA 5V	420 @ 2mA 5V	600 @ 10mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	15nA	15nA	2nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	600mV @ 5mA, 100mA	600mV @ 5mA, 100mA	200mV @ 500μA, 10mA
Частота перехода	300MHz	300MHz	100MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	50V	50V	45V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6V	6V	8V
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Вес	-	7.994566mg	30mg
Минимальная частота работы в герцах	-	420	600
Завершение	-	SMD/SMT	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	45V	45V
Моментальный ток	-	100mA	100mA
Основной номер части	-	BC847	MMBT5962
Число контактов	-	3	-
Конфигурация элемента	-	Single	Single
Продуктивность полосы частот	-	300MHz	-
Максимальное напряжение разрушения	-	45V	45V
Высота	-	1mm	930μm
Длина	-	3.05mm	2.9mm
Ширина	-	1.4mm	1.3mm
Корпусировка на излучение	-	No	No
Без свинца	-	Lead Free	Lead Free
Состояние жизненного цикла	-	-	ACTIVE (Last Updated: 22 hours ago)

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
BC847C-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3	Для сравнения
MMBT5962	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R	Для сравнения
BC847A-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR	Для сравнения
BC847B-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DIODES INC. - BC847B-7-F - Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 300 MHz, 300 mW, 100 mA, 330 hFE	Для сравнения