BC847C-13-F Альтернативные части: BC847A-7-F

BC847C-13-FDiodes Incorporated

В наличии: 20000

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
7.694794 ₽
7.69 ₽
500
5.657981 ₽
2,828.98 ₽
1000
4.714931 ₽
4,714.97 ₽
2000
4.325687 ₽
8,651.37 ₽
5000
4.042651 ₽
20,213.19 ₽
10000
3.760563 ₽
37,605.63 ₽
15000
3.636992 ₽
54,554.95 ₽
50000
3.576154 ₽
178,807.69 ₽

Цена за единицу: 7.694794 ₽

Итоговая цена: 7.69 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иBC847C-13-F	иBC847A-7-F
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	Trans GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R	Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR
Срок поставки от производителя	15 Weeks	15 Weeks
Покрытие контактов	Tin	Tin
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов	3	3
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	45V	45V
Максимальный коллекторный ток (Ic)	100mA	-
Количество элементов	1	1
Рабочая температура	-65°C~150°C TJ	-65°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2005	2008
Код JESD-609	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99
Дополнительная Характеристика	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY
Максимальная потеря мощности	310mW	300mW
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260
Частота	300MHz	300MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40
Конфигурация	SINGLE	-
Распад мощности	350mW	350mW
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Полярность/Тип канала	NPN	NPN
Тип транзистора	NPN	NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	45V	45V
Максимальный ток сбора	100mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	200 @ 2mA 5V	110 @ 2mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	15nA	15nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	600mV @ 5mA, 100mA	600mV @ 5mA, 100mA
Частота перехода	300MHz	300MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	50V	50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6V	6V
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Вес	-	7.994566mg
Минимальная частота работы в герцах	-	110
Завершение	-	SMD/SMT
Основной номер части	-	BC847
Число контактов	-	3
Квалификационный Статус	-	Not Qualified
Конфигурация элемента	-	Single
Мощность - Макс	-	300mW
Продуктивность полосы частот	-	300MHz
Максимальное напряжение разрушения	-	45V
Высота	-	1mm
Длина	-	3.05mm
Ширина	-	1.4mm
Без свинца	-	Lead Free

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
BC847C-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3	Для сравнения
MMBT5962	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R	Для сравнения
BC847A-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR	Для сравнения
BC847B-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DIODES INC. - BC847B-7-F - Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 300 MHz, 300 mW, 100 mA, 330 hFE	Для сравнения