BC847C-13-F Альтернативные части: BC847A-7-F ,BC847B-7-F

BC847C-13-FDiodes Incorporated

В наличии: 20000

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
7.694794 ₽
7.69 ₽
500
5.657981 ₽
2,828.98 ₽
1000
4.714931 ₽
4,714.97 ₽
2000
4.325687 ₽
8,651.37 ₽
5000
4.042651 ₽
20,213.19 ₽
10000
3.760563 ₽
37,605.63 ₽
15000
3.636992 ₽
54,554.95 ₽
50000
3.576154 ₽
178,807.69 ₽

Цена за единицу: 7.694794 ₽

Итоговая цена: 7.69 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иBC847C-13-F	иBC847A-7-F	иBC847B-7-F
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	Trans GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R	Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR	DIODES INC. - BC847B-7-F - Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 300 MHz, 300 mW, 100 mA, 330 hFE
Срок поставки от производителя	15 Weeks	15 Weeks	19 Weeks
Покрытие контактов	Tin	Tin	Tin
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов	3	3	3
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	45V	45V	45V
Максимальный коллекторный ток (Ic)	100mA	-	100mA
Количество элементов	1	1	1
Рабочая температура	-65°C~150°C TJ	-65°C~150°C TJ	-65°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2005	2008	2012
Код JESD-609	e3	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Дополнительная Характеристика	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY
Максимальная потеря мощности	310mW	300mW	300mW
Положение терминала	DUAL	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260	260
Частота	300MHz	300MHz	300MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40	40
Конфигурация	SINGLE	-	-
Распад мощности	350mW	350mW	310mW
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
Полярность/Тип канала	NPN	NPN	NPN
Тип транзистора	NPN	NPN	NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	45V	45V	45V
Максимальный ток сбора	100mA	100mA	200mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	200 @ 2mA 5V	110 @ 2mA 5V	200 @ 2mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	15nA	15nA	15nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	600mV @ 5mA, 100mA	600mV @ 5mA, 100mA	600mV @ 5mA, 100mA
Частота перехода	300MHz	300MHz	300MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	50V	50V	50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6V	6V	6V
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	No SVHC
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Вес	-	7.994566mg	7.994566mg
Минимальная частота работы в герцах	-	110	200
Завершение	-	SMD/SMT	-
Основной номер части	-	BC847	BC847
Число контактов	-	3	3
Квалификационный Статус	-	Not Qualified	Not Qualified
Конфигурация элемента	-	Single	Single
Мощность - Макс	-	300mW	-
Продуктивность полосы частот	-	300MHz	300MHz
Максимальное напряжение разрушения	-	45V	45V
Высота	-	1mm	1.1mm
Длина	-	3.05mm	3.05mm
Ширина	-	1.4mm	1.4mm
Без свинца	-	Lead Free	Lead Free
Максимальная температура перехода (Тj)	-	-	150°C

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
BC847C-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3	Для сравнения
MMBT5962	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R	Для сравнения
BC847A-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR	Для сравнения
BC847B-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DIODES INC. - BC847B-7-F - Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 300 MHz, 300 mW, 100 mA, 330 hFE	Для сравнения