BC847AW-7-F Альтернативные части: DTC144TUAT106

BC847AW-7-FDiodes Incorporated

  • BC847AW-7-FDiodes Incorporated
  • DTC144TUAT106ROHM Semiconductor

В наличии: 2534

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    8.750192 ₽

    8.79 ₽

  • 500

    6.433984 ₽

    3,217.03 ₽

  • 1000

    5.361607 ₽

    5,361.54 ₽

  • 2000

    4.918915 ₽

    9,837.77 ₽

  • 5000

    4.597115 ₽

    22,985.58 ₽

  • 10000

    4.276374 ₽

    42,763.74 ₽

  • 15000

    4.135810 ₽

    62,037.09 ₽

  • 50000

    4.066635 ₽

    203,331.73 ₽

Цена за единицу: 8.750192 ₽

Итоговая цена: 8.79 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Срок поставки от производителя
15 Weeks
13 Weeks
Покрытие контактов
Tin
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SC-70, SOT-323
SC-70, SOT-323
Количество контактов
3
3
Вес
6.010099mg
-
Материал элемента транзистора
SILICON
-
Диэлектрический пробой напряжение
45V
50V
Количество элементов
1
1
Рабочая температура
-65°C~150°C TJ
-
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2017
2009
Код JESD-609
e3
e1
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
Максимальная потеря мощности
200mW
200mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
Частота
300MHz
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
10
Основной номер части
BC847
DTC144
Число контактов
3
3
Квалификационный Статус
Not Qualified
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Распад мощности
200mW
200mW
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
Продуктивность полосы частот
300MHz
-
Полярность/Тип канала
NPN
-
Тип транзистора
NPN
NPN - Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
45V
50V
Максимальный ток сбора
100mA
100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
110 @ 2mA 5V
100 @ 1mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
20nA ICBO
500nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 100mA
300mV @ 500μA, 5mA
Частота перехода
300MHz
250MHz
Максимальное напряжение разрушения
65V
50V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
50V
-
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6V
5V
Высота
1mm
-
Длина
2.2mm
-
Ширина
1.35mm
-
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Минимальная частота работы в герцах
-
100
Завершение
-
SMD/SMT
Конечная обработка контакта
-
TIN SILVER COPPER
Максимальная рабочая температура
-
150°C
Минимальная температура работы
-
-55°C
Дополнительная Характеристика
-
BUILT-IN BIAS RESISTOR
Код ТН ВЭД
-
8541.21.00.75
Ток постоянного напряжения - номинальный
-
50V
Моментальный ток
-
100mA
Направленность
-
NPN
Частота - Переход
-
250MHz
База (R1)
-
47 k Ω
Прямоходящий ток коллектора
-
100mA
Корпусировка на излучение
-
No