BC847AW-7-FDiodes Incorporated
В наличии: 2534
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
8.750192 ₽
8.79 ₽
500
6.433984 ₽
3,217.03 ₽
1000
5.361607 ₽
5,361.54 ₽
2000
4.918915 ₽
9,837.77 ₽
5000
4.597115 ₽
22,985.58 ₽
10000
4.276374 ₽
42,763.74 ₽
15000
4.135810 ₽
62,037.09 ₽
50000
4.066635 ₽
203,331.73 ₽
Цена за единицу: 8.750192 ₽
Итоговая цена: 8.79 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN SOT-323 |
Срок поставки от производителя | 15 Weeks | 19 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | Tin |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SC-70, SOT-323 | SC-70, SOT-323 |
Количество контактов | 3 | 3 |
Вес | 6.010099mg | 6.010099mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 45V | 45V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Рабочая температура | -65°C~150°C TJ | -65°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2017 | 2007 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Максимальная потеря мощности | 200mW | 200mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Частота | 300MHz | 300MHz |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 40 |
Основной номер части | BC847 | BC847 |
Число контактов | 3 | 3 |
Квалификационный Статус | Not Qualified | - |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Распад мощности | 200mW | 200mW |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Продуктивность полосы частот | 300MHz | 300MHz |
Полярность/Тип канала | NPN | NPN |
Тип транзистора | NPN | NPN |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 45V | 45V |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 110 @ 2mA 5V | 200 @ 2mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 20nA ICBO | 20nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA | 600mV @ 5mA, 100mA |
Частота перехода | 300MHz | 300MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 65V | 45V |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 50V | 50V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6V | 6V |
Высота | 1mm | 1.1mm |
Длина | 2.2mm | 2.2mm |
Ширина | 1.35mm | 1.35mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Минимальная частота работы в герцах | - | 200 |
Завершение | - | SMD/SMT |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | 45V |
Моментальный ток | - | 100mA |
Максимальная температура перехода (Тj) | - | 150°C |
Корпусировка на излучение | - | No |