BC32716 Альтернативные части: BC32725BU ,BC32716BU

BC32716ON Semiconductor

  • BC32716ON Semiconductor
  • BC32725BUON Semiconductor
  • BC32716BUON Semiconductor

В наличии: 5860

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    10.957308 ₽

    10.99 ₽

  • 500

    8.056896 ₽

    4,028.43 ₽

  • 1000

    6.714038 ₽

    6,714.01 ₽

  • 2000

    6.159670 ₽

    12,319.37 ₽

  • 5000

    5.756703 ₽

    28,783.52 ₽

  • 10000

    5.355082 ₽

    53,550.82 ₽

  • 15000

    5.179025 ₽

    77,685.44 ₽

  • 50000

    5.092376 ₽

    254,618.82 ₽

Цена за единицу: 10.957308 ₽

Итоговая цена: 10.99 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS PNP 45V 0.8A TO-92
Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 3-Pin TO-92 Bulk
TRANS PNP 45V 0.8A TO-92
Монтаж
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Вид крепления
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Корпус / Кейс
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Количество контактов
3
3
3
Поставщик упаковки устройства
TO-92-3
-
-
Вес
200mg
179mg
179mg
Диэлектрический пробой напряжение
45V
-45V
45V
Максимальный коллекторный ток (Ic)
800mA
800mA
-
Количество элементов
1
1
1
Минимальная частота работы в герцах
100
40
100
Рабочая температура
150°C TJ
150°C TJ
150°C TJ
Пакетирование
Bulk
Bulk
Bulk
Состояние изделия
Obsolete
Active
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Завершение
Through Hole
-
-
Максимальная рабочая температура
150°C
-
-
Минимальная температура работы
-55°C
-
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
-45V
-45V
-45V
Максимальная потеря мощности
625mW
625mW
625mW
Моментальный ток
-800mA
-800mA
-800mA
Частота
100MHz
100MHz
100MHz
Основной номер части
BC327
BC327
BC327
Направленность
PNP
-
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Распад мощности
625mW
1.5W
625mW
Мощность - Макс
625mW
-
-
Продуктивность полосы частот
100MHz
260MHz
100MHz
Тип транзистора
PNP
PNP
PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
700mV
-45V
45V
Максимальный ток сбора
800mA
-800mA
800mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
100 @ 100mA 1V
160 @ 100mA 1V
100 @ 100mA 1V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA
100nA
100nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
700mV @ 50mA, 500mA
700mV @ 50mA, 500mA
700mV @ 50mA, 500mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
45V
-
-
Частота - Переход
100MHz
-
-
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
-5V
-5V
-5V
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
No SVHC
Состояние RoHS
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Состояние жизненного цикла
-
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Срок поставки от производителя
-
7 Weeks
7 Weeks
Покрытие контактов
-
Tin
Tin
Материал элемента транзистора
-
SILICON
SILICON
Опубликовано
-
2007
2002
Код JESD-609
-
e3
e3
Безоловая кодировка
-
yes
yes
Количество выводов
-
3
3
Код ECCN
-
EAR99
EAR99
Положение терминала
-
BOTTOM
BOTTOM
Применение транзистора
-
SWITCHING
SWITCHING
Полярность/Тип канала
-
PNP
PNP
Частота перехода
-
100MHz
100MHz
Максимальное напряжение разрушения
-
45V
-
Максимальная температура перехода (Тj)
-
150°C
-
Высота
-
5.33mm
4.58mm
Корпусировка на излучение
-
No
-
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
-
NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
-
NOT SPECIFIED
Квалификационный Статус
-
-
Not Qualified
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
-
-
-10V
Длина
-
-
4.58mm
Ширина
-
-
3.86mm