BC32716 Альтернативные части: BC327A

BC32716ON Semiconductor

  • BC32716ON Semiconductor
  • BC327AON Semiconductor

В наличии: 5860

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    10.957308 ₽

    10.99 ₽

  • 500

    8.056896 ₽

    4,028.43 ₽

  • 1000

    6.714038 ₽

    6,714.01 ₽

  • 2000

    6.159670 ₽

    12,319.37 ₽

  • 5000

    5.756703 ₽

    28,783.52 ₽

  • 10000

    5.355082 ₽

    53,550.82 ₽

  • 15000

    5.179025 ₽

    77,685.44 ₽

  • 50000

    5.092376 ₽

    254,618.82 ₽

Цена за единицу: 10.957308 ₽

Итоговая цена: 10.99 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS PNP 45V 0.8A TO-92
TRANS PNP 45V 0.8A TO-92
Монтаж
Through Hole
Through Hole
Вид крепления
Through Hole
Through Hole
Корпус / Кейс
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Количество контактов
3
3
Поставщик упаковки устройства
TO-92-3
-
Вес
200mg
-
Диэлектрический пробой напряжение
45V
45V
Максимальный коллекторный ток (Ic)
800mA
-
Количество элементов
1
1
Минимальная частота работы в герцах
100
100
Рабочая температура
150°C TJ
150°C TJ
Пакетирование
Bulk
Bulk
Состояние изделия
Obsolete
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Завершение
Through Hole
-
Максимальная рабочая температура
150°C
-
Минимальная температура работы
-55°C
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
-45V
60V
Максимальная потеря мощности
625mW
625mW
Моментальный ток
-800mA
1A
Частота
100MHz
100MHz
Основной номер части
BC327
BC327
Направленность
PNP
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Распад мощности
625mW
625mW
Мощность - Макс
625mW
-
Продуктивность полосы частот
100MHz
100MHz
Тип транзистора
PNP
PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
700mV
700mV
Максимальный ток сбора
800mA
800mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
100 @ 100mA 1V
100 @ 100mA 1V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA
100nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
700mV @ 50mA, 500mA
700mV @ 50mA, 500mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
45V
-
Частота - Переход
100MHz
-
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
-5V
-5V
REACH SVHC
No SVHC
-
Состояние RoHS
RoHS Compliant
RoHS Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
-
-50V