APTMC60TLM14CAG Альтернативные части: FSB50250 ,IRFBA1404PPBF

APTMC60TLM14CAGMicrosemi Corporation

  • APTMC60TLM14CAGMicrosemi Corporation
  • FSB50250ON Semiconductor
  • IRFBA1404PPBFInfineon Technologies

В наличии:

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Belarus

Russia

Ukraine

China

United States

Canada

Japan

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
MOSFET 4N-CH 1200V 219A SP6C
Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers 2A Smart Power Mod (SPM)
MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220
Состояние жизненного цикла
IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 23 hours ago)
-
Срок поставки от производителя
36 Weeks
-
12 Weeks
Монтаж
Chassis Mount, Through Hole
Through Hole
Through Hole
Вид крепления
Chassis Mount
Through Hole
Through Hole
Корпус / Кейс
SP6
23-PowerDIP Module (0.551, 14.00mm)
TO-273AA
Количество контактов
6
23
3
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C
219A Tc
-
206A Tc
Количество элементов
1
-
1
Время отключения
150 ns
-
72 ns
Рабочая температура
-40°C~150°C TJ
-
-40°C~175°C TJ
Пакетирование
Bulk
-
Tube
Опубликовано
2014
2016
2004
Состояние изделия
Active
Obsolete
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Максимальная потеря мощности
925W
4.5W
-
Время задержки включения
35 ns
-
17 ns
Тип ТРВ
4 N-Channel (Three Level Inverter)
-
N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs
12m Ω @ 150A, 20V
-
3.7m Ω @ 95A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id
2.4V @ 30mA (Typ)
-
4V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds
8400pF @ 1000V
-
7360pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs
483nC @ 20V
-
200nC @ 10V
Время подъема
40ns
-
140ns
Напряжение стока-исток (Vdss)
1200V 1.2kV
-
-
Время падения (тип)
70 ns
-
26 ns
Непрерывный ток стока (ID)
219A
1A
206A
Максимальный сливовой ток (ID)
215A
-
95A
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
-
-
Характеристика ТРП
Silicon Carbide (SiC)
-
-
Состояние RoHS
RoHS Compliant
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Вес
-
4.05g
-
Серия
-
Motion SPM® 5
HEXFET®
Код JESD-609
-
e3
-
Безоловая кодировка
-
yes
-
Количество выводов
-
23
3
Тип
-
MOSFET
-
Конечная обработка контакта
-
Tin (Sn)
-
Максимальная рабочая температура
-
150°C
-
Минимальная температура работы
-
-20°C
-
Код ТН ВЭД
-
8541.29.00.95
-
Положение терминала
-
DUAL
-
Количество функций
-
1
-
Напряжение питания
-
15V
-
Основной номер части
-
FSB50250
-
Токовая изоляция
-
1500Vrms
-
Максимальный выходной ток
-
1A
-
Напряжение питания минимальное (Vпит)
-
13.5V
-
Конфигурация
-
3 Phase
-
Максимальная напряжённость питания
-
400V
-
Максимальная допустимая токовая нагрузка
-
1A
-
Номинальный ток питания
-
200μA
-
Распад мощности
-
4.5W
300W
Ток выпуска
-
1A
-
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
-
500V
-
Максимальный ток сбора
-
1A
-
Напряжение пробоя стока к истоку
-
500V
40V
Сопротивление стока к истоку
-
3.3Ohm
-
Минимальная разрушающая напряжение
-
500V
-
Высота
-
3.1mm
15mm
Длина
-
29mm
10.9982mm
Ширина
-
12mm
5mm
Корпусировка на излучение
-
No
No
Материал элемента транзистора
-
-
SILICON
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)
-
-
10V
Максимальная мощность рассеяния
-
-
300W Tc
Сопротивление
-
-
3.7MOhm
Дополнительная Характеристика
-
-
AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
Ток постоянного напряжения - номинальный
-
-
40V
Моментальный ток
-
-
206A
Конфигурация элемента
-
-
Single
Режим работы
-
-
ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка
-
-
DRAIN
Применение транзистора
-
-
SWITCHING
Угол настройки (макс.)
-
-
±20V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)
-
-
20V
Максимальный импульсный ток вывода
-
-
650A
Рейтинг энергии лавины (Eas)
-
-
480 mJ