APTMC60TLM14CAG Альтернативные части: FSBB30CH60

APTMC60TLM14CAGMicrosemi Corporation

  • APTMC60TLM14CAGMicrosemi Corporation
  • FSBB30CH60ON Semiconductor

В наличии:

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Belarus

Russia

Ukraine

China

United States

Canada

Japan

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
MOSFET 4N-CH 1200V 219A SP6C
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FSBB30CH60 SMART POWER MODULE, 600V, 30A
Состояние жизненного цикла
IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
Срок поставки от производителя
36 Weeks
-
Монтаж
Chassis Mount, Through Hole
Through Hole
Вид крепления
Chassis Mount
Through Hole
Корпус / Кейс
SP6
27-PowerDIP Module (1.205, 30.60mm)
Количество контактов
6
27
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C
219A Tc
-
Количество элементов
1
-
Время отключения
150 ns
-
Рабочая температура
-40°C~150°C TJ
-
Пакетирование
Bulk
-
Опубликовано
2014
2007
Состояние изделия
Active
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Код ECCN
EAR99
EAR99
Максимальная потеря мощности
925W
103W
Время задержки включения
35 ns
-
Тип ТРВ
4 N-Channel (Three Level Inverter)
-
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs
12m Ω @ 150A, 20V
-
Втс(th) (Макс) @ Id
2.4V @ 30mA (Typ)
-
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds
8400pF @ 1000V
-
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs
483nC @ 20V
-
Время подъема
40ns
-
Напряжение стока-исток (Vdss)
1200V 1.2kV
-
Время падения (тип)
70 ns
-
Непрерывный ток стока (ID)
219A
30A
Максимальный сливовой ток (ID)
215A
-
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
-
Характеристика ТРП
Silicon Carbide (SiC)
-
Состояние RoHS
RoHS Compliant
RoHS Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Вес
-
13.32g
Диэлектрический пробой напряжение
-
600V
Серия
-
Motion SPM® 3
Код JESD-609
-
e3
Безоловая кодировка
-
yes
Количество выводов
-
27
Тип
-
IGBT
Конечная обработка контакта
-
Tin (Sn)
Максимальная рабочая температура
-
125°C
Минимальная температура работы
-
-20°C
Положение терминала
-
DUAL
Количество функций
-
1
Напряжение питания
-
15V
Основной номер части
-
FSBB30CH60
Количество выходов
-
1
Токовая изоляция
-
2500Vrms
Выводной напряжение
-
800mV
Входной напряжение питания
-
400V
Конфигурация
-
3 Phase
Максимальная напряжённость питания
-
450V
Максимальная допустимая токовая нагрузка
-
30A
Номинальный ток питания
-
500μA
Распад мощности
-
103W
Ток выпуска
-
5mA
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
-
2.75V
Максимальный ток сбора
-
30A
Напряжение пробоя стока к истоку
-
600V
Минимальная разрушающая напряжение
-
600V
Высота
-
4.5mm
Длина
-
44mm
Ширина
-
27mm
REACH SVHC
-
No SVHC
Корпусировка на излучение
-
No